| 主权项 |
1.一种交替式相位移光罩(alternating phase shifting mask, Alt-PSM),其包含有:一透光基板;一密集线条(dense line)图案,设于该透光基板上;至少一半密集线条图案,设于该密集线条图案之边缘;一具有一第一预定宽度之第一相位移区域(phaseshifting area),设置于该密集线条图案以及该半密集线条图案之间,并紧邻于该密集线条图案;一与该第一相位移区域不相连接且具有一第二预定宽度之第二相位移区域,设置于该密集线条图案以及该半密集线条图案之间,并紧邻于该半密集线条图案;以及一具有与该第二相位移区域相同宽度之第三相位移区域,设置于与该第二相位移区域相反之一侧,并紧邻于该半密集线条图案;其中该第一相位移区域以及该第二相位移区域之相位差为0度,该第二相位移区域以及该第三相位移区域之相位差为180度。2.如申请专利范围第1项之相位移光罩,其中该第一相位移区域与该第二相位移区域之间为一透光区域(clear area)。3.如申请专利范围第1项之相位移光罩,其中该第一与第二相位移区域之相位皆为0度,该第三相位移区域之相位为180度。4.如申请专利范围第1项之相位移光罩,其中该第一与第二相位移区域之相位皆为180度,该第三相位移区域之相位为0度。5.如申请专利范围第1项之相位移光罩,其中该密集线条图案以及该半密集线条图案系皆由不透光材料所构成。6.如申请专利范围第5项之相位移光罩,其中该不透光材料为铬(chromium, Cr)。7.如申请专利范围第1项之相位移光罩,其中该第一预定宽度以及该第二预定宽度皆介于200至1000奈米(nanometer, nm)之间。8.如申请专利范围第1项之相位移光罩,其中该第一预定宽度以及该第二预定宽度皆约为200奈米。9.一种相位移光罩(PSM),其包含有:一透明基板;至少一设于该透明基板上之半密集线条,其中该半密集线条之一侧为宽度至少大于2微米(micrometer)之透光区域,另一侧则相邻于一窄间距(pitch)密集线图案;一第一相位移区域,设置于该密集线条图案以及该半密集线条之间,并紧邻于该半密集线条;以及一具有一预定宽度之第二相位移区域,紧邻于该半密集线条,设置于与该第一相位移区域相反之一侧;其中该第一相位移区域与该第二相位移区域之相位差为180度。10.如申请专利范围第9项之相位移光罩,其中该第一相位移区域之相位为0度,该第二相位移区域之相位为180度。11.如申请专利范围第9项之相位移光罩,其中该第一相位移区域之相位为180度,该第二相位移区域之相位为0度。12.如申请专利范围第9项之相位移光罩,其中该密集线条图案以及该半密集线条系皆由不透光材料所构成。13.如申请专利范围第12项之相位移光罩,其中该不透光材料为铬(Cr)。14.如申请专利范围第9项之相位移光罩,其中该预定宽度约为200至400奈米(nm)。图式简单说明:图一为习知交替式相位移光罩的部份区域放大示意图。图二为利用习知交替式相位移光罩所产生的中心焦距对间距的作图。图三为利用习知交替式相位移光罩能量对焦距之作图。图四为本发明交替式相位移光罩的部份区域放大示意图。图五至图七为本发明第二实施例交替式相位移光罩部份区域示意图。图八为本发明第三实施例交替式相位移光罩部份区域之示意图。图九为利用本发明交替式相位移光罩所产生中心焦距对间距作图。图十为利用本发明交替式相位移光罩能量对焦距之作图。 |
