| 主权项 |
1.一种积体电路,包括: 多个电子电路,每个都至少具有一个输入用以接收 一个电子信号,至少其中一个该电子电路具有一个 电晶体; 一个波导用以传送由一个光学资料信号,一个光学 时脉信号,及一个光学控制信号所组成的群组中所 选择出来的光学信号;及 一个光侦测器用以将光学信号转换成电子信号,该 光侦测器具有一耦合至该波导之输入,以及一个耦 合至一该电子电路的输入之输出。2.如申请专利 范围第1项之积体电路,进一步包括一个雷射用以 产生一个光学信号,该雷射具有耦合至该波导之输 出。3.如申请专利范围第2项之积体电路,其中: 一个该电子电路具有一个输出用以输出一个电子 信号;及 该雷射具有一个耦合至该电子电路的输出之输入 以接收所输出的电子信号,该雷射会根据接收该输 出的电子信号以产生一个光学信号。4.如申请专 利范围第2项之积体电路,其中该雷射包括一个垂 直孔表面发射雷射。5.如申请专利范围第1项之积 体电路,其中: 至少部份的电子电路具有一个输出以输出电子信 号; 并且进一步包括: 多个波导,每个都系用以传送光学信号,该波导系 置放于至少部份该电子电路部份的最上方,该光学 信号系从由一个光学资料信号,一个光学时脉信号 ,及一个光学控制信号所组成的群组中所选择出来 的; 多个雷射,每个系用以根据接收电子信号以产生一 个光学信号,该雷射每个具有一个耦合至该电子电 路的输出之输入,并且具有一个耦合该波导之输出 ;及 多个光侦测器,每个系用以将光学信号转换成电子 信号,每个光侦测器具有一耦合至该波导其中一个 之输入,以及一个耦合至该电子电路其中一个。6. 如申请专利范围第1项之积体电路,进一步包括一 个置放于该积体电路上的光束分离器以接收一光 学信号,该光束分离器系用以将该光学信号分离成 至少两个光学信号。7.如申请专利范围第1项之积 体电路,其中该波导系置放于一个至少与部份该体 电路不同的平面上。8.如申请专利范围第1项之积 体电路,其中该波导至少部份为非直线。9.一种在 单一积体电路上信号传送的方法,该方法包括: 以光学方式将信号从第一位置传送到第二位置,两 个位置系置于该积体电路上,该信号系由一个光学 资料信号,一个光学时脉信号,及一个光学控制信 号所组成的群组中所选择出来的; 将该光学传送的信号转换成电子信号,该转换系在 该积体电路上进行;及 在积体电路上的一电子半导体电路的输入上接收 该电子信号。10.如申请专利范围第9项之方法,还 包括: 从一电子半导体电路的一个输出接收一电子信号; 及 根据该接收的一个电子信号在该积体电路上产生 一光学信号。11.如申请专利范围第9项之方法,进 一步包括将该积体电路上的该光学信号分离成两 个光学信号。12.如申请专利范围第9项之方法,其 中该传送进一步包括以光学方式将信号从第一平 面的第一位置传送到第二平面的第二位置,该第一 平面与该第二平面不同,两个位置系置于该积体电 路上。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该传 送还包括以光学方式经由非直线路径将信号从第 一位置传送到第二位置且两个位置系置于该积体 电路上。图式简单说明: 图1,2,3,9,10所示的系元件结构的侧面图,可以与本 发明中的各种实例一起使用; 图4所示的系最大薄膜厚度及主晶体与成长结晶覆 盖层之间的晶格不匹配(mismatch)的关系图; 图5所示的系根据此处所示制造而成的半导体材质 的高解析穿透式电子显微图(Transmission Electron Micrograph,TEM); 图6所示的系根据此处所示制造而成的半导体结构 的x射线绕射; 图7所示的系具有非结晶(amorphous)氧化层结构的高 解析穿透式电子显微图; 图8所示的系具有非结晶氧化层结构的x射线绕射 频谱; 图11-15所示的系包括根据此处所示的化合物半导 体部份,二极(bipolar)部份,以及MOS部份的积体电路 的侧面图; 图16-22所示的系包括根据此处所示的半导体雷射 以及MOS电晶体的另一种积体电路的侧面图; 图23所示的系传统半导体积体电路的简化平面图; 图24所示的系根据此处所示的光学滙流排实例的 简化侧面图; 图25所示的系运用本发明图24的光学滙流排之积体 电路实例的简化平面图; 图26所示的系根据本发明图24的光学滙流排之其它 实例的简化侧面图;及 图27所示的系根据本发明图25所示的光束分离器实 例的简化平面图。 |
