| 主权项 |
1.一种半导体装置,含有:隔着一闸绝缘膜在半导体 基体上形成之闸电极及一在其表面有一矽化膜而 形成于半导体基体上之源极/汲极区; 其中该源极/汲极区有一其表面部分或全部倾斜之 轻度掺杂汲极(LDD)区及在闸电极下方高出该半导 体基体表面处位于半导体基体与该源极/汲极区矽 化膜间之介面。2.如申请专利范围第1项之半导体 装置,其中该闸电极之表面高出半导体基体无凹下 处之表面。3.如申请专利范围第1项之半导体装置, 其中该LDD区对该半导体基体无凹下处之表面而言 呈现部分或全部倾斜且该LDD区是形成于本身有一 倾斜度之平面半导体基体或本身有一倾斜度之倾 斜半导体基体之一倾斜表面上。4.如申请专利范 围第3项之半导体装置,其中该LDD区是形成于半导 体基体之一倾斜表面上。5.如申请专利范围第1项 之半导体装置,其中该局部氧化矽(LOCOS)氧化膜之 厚度为100至300nm。6.一种制造半导体装置之方法, 包括下述步骤: 在一个半导体基体上形成一LOCOS氧化膜; 除去部分LOCOS氧化膜而在半导体基体上形成一凹 处; 隔着一闸绝缘膜在该凹处内埋入一闸电极; 以该闸电极及剩余之LOCOS氧化膜为蔽罩进行离子 植入而形成一源极/汲极区; 至少在该源极/汲极区之表面形成一矽化膜;及 在闸电极两边下方之半导体装置内形成一LDD区。7 .如申请专利范围第6项之方法,其中该LOCOS氧化膜 是利用用于形成LOCOS氧化膜之蔽罩来形成且使用 用于形成该LOCOS氧化膜之蔽罩来除去一部分LOCOS氧 化膜。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该LOCOS 氧化膜是以各向异性蚀刻方式除去而使得部分或 全部鸟嘴仍予保留。9.如申请专利范围第6项之方 法,其中该剩余LOCOS氧化膜是在形成矽化膜后及形 成LDD区前被除去。10.如申请专利范围第6项之方法 ,其中LOCOS氧化膜之厚度为100至300nm。图式简单说 明: 图1(a)至1(h)为说明制造本发明半导体装置实例主 要部分之断面图; 图2为说明制造先前技术半导体装置主要部分之断 面图; 图3为说明另一制造先前技术半导体装置主要部分 之断面图;及 图4(a)至4(e)为说明又一制造先前技术半导体装置 主要部分之断面图。 |
