发明名称 液晶显示装置
摘要 于使用负的介电异向性液晶之主动驱动型IPS方式液晶显示装置,使低电压驱动及高显示品级同时成立。于由一对玻璃基板1,14,液晶9,与藉由施加电压使于基板面发生具有平行于基板面之成分的电场25而经予形成于基板1之共同电极2及像元电极5与信号电极6及TFT16,经予形成于基板1,14上的定向膜8,10,与偏光板15而成的液晶显示装置50,于液晶9使用含有分子内具有二氰基苯构造之液晶分子且负的介电异向性液晶。在不使液晶显示装置之显示品级降低的许可范围内维持电压保持率并使可能低电压驱动。
申请公布号 TW508546 申请公布日期 2002.11.01
申请号 TW089115530 申请日期 2000.08.02
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 大阿久仁嗣;香川博之;荒谷康太郎;近藤克己
分类号 G09F9/35;C09K19/20;C09K19/30;C09K19/34;G02F1/133 主分类号 G09F9/35
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种液晶显示装置,系具有一对的基板,经予挟持 于此一对的基板间之含有由高极性的单品成分之 液晶分子及低极性的母体液晶间之浓度为1重量%- 70重量%、且为负的介电异向性之液晶分子所构成 的液晶层,于一对的基板之至少一侧的基板上配置 像元电极,共同电极及能动元件,于像元电极及共 同电极间藉由施加电压以控制液晶层并进行显示 之液晶显示装置, 前述液晶层系含有1重量%-30重量%浓度之以化学式1 [式内,X及Y系表示相互相同或不同的构造之取代基 ]表示的由化学式2,3及4 [于化学式2-4,R系表示直链或枝链之烷基或经予烷 基取代的环烷基,R'系表示直链或枝链之烷基或直 链或枝链之烷氧基或烷基经予取代的环烷基] 所示的液晶分子而成之群体选择的至少一个液晶 分子,且具有负的介电异向性者。2.如申请专利范 围第1项之液晶显示装置,其中前述能动元件系指 薄膜电晶体。3.如申请专利范围第1或2项之液晶显 示装置,其中前述像元电极及共同电极之至少一者 为由透明电极所构成的。4.如申请专利范围第3项 之液晶显示装置,其中前述透明导电膜为铟锡氧化 物(ITO)膜。5.如申请专利范围第1项之液晶显示装 置,其中在接触于该一对基板间挟持之该液晶层面 上设置由含氟聚醯亚胺所成液晶定向膜。6.如申 请专利范围第1项之液晶显示装置,系于与已挟持 于前述一对的基板间之前述液晶层接触的面上设 有含氟矽烷偶合剂予以表面处理的聚醯亚胺而成 的液晶定向膜。7.如申请专利范围第1项之液晶显 示装置,其中前述液晶层系液晶之比电阻値为1.01 010cm以上9.91011cm以下。8.一种液晶显示装置, 系具有一对的基板,经予挟持于此一对的基板间之 由含有高极性的单品成分之液晶分子及低极性的 母体液晶间之浓度为1重量%-70重量%、且为负的介 电异向性之选自分子内含有以化学式5,6,7 (式内,X及Y系表示形成液晶分子之其他构造部分的 原子团) (式内,X表示形成液晶分子之其他构造部分之原子 团,R表示直链或枝链之烷基或经予烷基取代的环 烷基) 表示的至少一个构造之液晶分子所构成的液晶层, 于一对的基板之至少一侧的基板上配置像元电极, 共同电极及薄膜电晶体,于前述像元电极及前述共 同电极间藉由施加电压以控制前述液晶层之液晶 并进行显示之液晶显示装置,前述液晶层系含有10 重量%-30重量%浓度之以化学式1 (式内,X及Y系表示相互相同或不同的构造之取代基 )表示的由化学式2,3及4 (于化学式2-4,R系表示直链或枝链之烷基或经予烷 基取代的环烷基,R'系表示直链或枝链之烷基或直 链或枝链之烷氧基或烷基经予取代的环烷基)所示 的液晶分子而成之群体选择的至少一个液晶分子, 且具有负的介电异向性者,前述像元电极及共同电 极之至少一者系采用透明导电膜予以构成的。9. 如申请专利范围第8项之液晶显示装置,其中前述 像元电极及前述共同电极系至少一部分介由绝缘 膜予以重叠并形成附加容量。10.如申请专利范围 第8项之液晶显示装置,其中前述透明导电膜系铟 锡氧化物(ITO)膜。11.如申请专利范围第9项之液晶 显示装置,其中前述经予挟持于像元电极及共同电 极之间的绝缘膜系由氮化矽,二氧化钛及氧化矽而 成的群体选择的至少一种材料。12.如申请专利范 围第8项之液晶显示装置,其中前述液晶系含有分 子内具有二氰基苯构造且具有负的介电异向性之 液晶分子所构成的。13.如申请专利范围第12项之 液晶显示装置,系于与前述一对的基板间之前述液 晶层接触的面上设有含聚醯亚胺而成之液晶定向 膜而成。14.如申请专利范围第12项之液晶显示装 置,系于与已挟持于前述一对的基板间之前述液晶 层接触的面上设有含氟矽烷偶合剂予以表面处理 的聚醯亚胺而成的液晶定向膜。15.如申请专利范 围第8项之液晶显示装置,其中前述液晶系比电阻 値为 1.01010cm以上至9.91011cm以下。16.如申请专利 范围第15项之液晶显示装置,其中前述液晶系比电 阻値为 1.0109cm以上至9.91010cm以下。17.一种液晶显示 装置之制造方法,系对申请专利范围第15项或第16 项之液晶显示装置中经挟持于一对的基板间之液 晶照射紫外线而成。图式简单说明: 第1图为说明与本发明有关的第一实施形态之液晶 显示装置之构成的像元部分之横截面图。 第2图为表示与本发明有关的第一实施形态之液晶 显示装置之电极构造的平面图。 第3图为说明与本发明有关的第二实施形态之液晶 显示装置之构成的像元部分之横截面图。 第4图为表示与本发明有关的第二实施形态之液晶 显示装置之电极构造的平面图。 第5图为说明与本发明有关的第三实施形态之液晶 显示装置之构成的像元部分之横截面图。 第6图为表示与本发明有关的第三实施形态之液晶 显示装置之电极构造的平面图。 第7图为说明构成与本发明有关的第一实施形态之 液晶显示装置之滤色片基板之图。 第8图为说明驱动与本发明有关的第一实施形态之 液晶显示装置之系统的构成之系统图。
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