| 主权项 |
1.一种电流感测放大器,以感测与放大传送至一资 料输出入线之记忆体单元资料,该装置包括: 一个感测电晶体,其源极连接至该资料输出入线, 以及另一感测电晶体,其源极连接至一互补资料输 出入线,其中该一个感测电晶体之闸极与汲极系交 叉连接至另一感测电晶体之闸极与汲极,以感测与 放大该资料输出入线与该互补资料输出入线间之 电流差; 负载电阻,分别连接至该些感测电晶体之汲极; 额外电阻,各并联于各负载电阻之两端,以回应于 一感测信号而形成一电流路径;以及 一开关电晶体,回应于一感测致能信号而使得流于 该资料输出入线内之电流与流于该互补资料输出 入线内之电流至接地端。2.如申请专利范围第1项 所述之电流感测放大器,其中该负载电阻系二极体 电晶体。3.如申请专利范围第1项所述之电流感测 放大器,其中该额外电阻系电晶体,该感测信号系 连接至其闸极。4.如申请专利范围第1项所述之电 流感测放大器,其中该感测信号系一信号,其根据 一位元线感测放大器之致能而致能,因而具既定脉 冲宽度。5.一种电流感测放大器,以感测与放大传 送至一资料输出入线之记忆体单元资料,该装置包 括: 一个感测电晶体,其源极连接至该资料输出入线, 以及另一感测电晶体,其源极连接至一互补资料输 出入线,其中该一个感测电晶体之闸极与汲极系交 叉连接至另一感测电晶体之闸极与汲极,以感测与 放大该资料输出入线与该互补资料输出入线间之 电流差; 负载电阻,分别连接至该些感测电晶体之汲极; 增益控制单元,各连接于各感测电晶体之该汲极与 接地端之间,该增益控制单元系回应于第一与第二 感测信号; 额外电阻,各并联于各负载电阻之两端,以回应于 该增益控制单元之该输出而形成一电流路径;以及 一开关电晶体,回应于一感测致能信号而使得流于 该资料输出入线内之电流与流于该互补资料输出 入线内之电流至接地端。6.如申请专利范围第5项 所述之电流感测放大器,其中各增益控制单元包括 : 一第一电晶体,具有连接至该第一感测信号之一闸 极以及连接至一感测电晶体之汲极之一汲极;以及 一第二电晶体,具有连接至该第二感测信号之一闸 极,连接至该第一电晶体之该源极之一汲极;以及 连接至接地端之一源极。7.如申请专利范围第5项 所述之电流感测放大器,其中该第一感测信号系根 据一位元线感测放大器之致能而致能,该第一感测 信号具既定脉冲宽度;且该第二感测信号系反相于 该第一感测信号。8.如申请专利范围第5项所述之 电流感测放大器,其中该负载电阻系二极体电晶体 。9.如申请专利范围第5项所述之电流感测放大器, 其中该额外电阻系电晶体,该感测信号系连接至其 闸极。10.一种半导体记忆体元件,包括: 复数个记忆体组,其上各排列有复数个记忆体单元 ; 位元线感测放大器,感测与放大在该记忆体单元内 之一位元线之资料与一互补位元线之资料; 一行选择电路,选择该位元线感测放大器之该输出 ,并传送所选择之资料至一资料输出入线与一互补 资料输出入线; 一负载电晶体单元,根据该资料输出入线与该互补 资料输出入线之电压而供应电流至该资料输出入 线与该互补资料输出入线;以及 一电流感测放大器,以感测与放大该资料输出入线 与该互补资料输出入线间之电流差,其中该电流感 测放大器包括: 一个感测电晶体,其源极连接至该资料输出入线, 以及另一感测电晶体,其源极连接至一互补资料输 出入线,其中该一个感测电晶体之闸极与汲极系交 叉连接至另一感测电晶体之闸极与汲极,以感测与 放大该资料输出入线与该互补资料输出入线间之 电流差; 负载电阻,分别连接至该些感测电晶体之汲极; 额外电阻,各并联于各负载电阻之两端,以回应于 一感测信号而形成一电流路径;以及 一开关电晶体,回应于一感测致能信号而使得流于 该资料输出入线内之电流与流于该互补资料输出 入线内之电流至接地端。11.如申请专利范围第10 项所述之半导体记忆体元件,其中该感测信号系回 应记忆体组选择信号与回应于该记忆体组选择信 号而选择之一记忆体组之读出信号而产生。12.一 种半导体记忆体元件,包括: 复数个记忆体组,其上各排列有复数个记忆体单元 ; 位元线感测放大器,感测与放大在该记忆体单元内 之一位元线之资料与一互补位元之资料; 一行选择电路,选择该位元线感测放大器之该输出 ,并传送所选择之资料至一资料输出入线与一互补 资料输出入线; 一负载电晶体单元,根据该资料输出入线与该互补 资料输出入线之电压而供应电流至该资料输出入 线与该互补资料输出入线;以及 一电流感测放大器,以感测与放大该资料输出入线 与该互补资料输出入线间之电流差,其中该电流感 测放大器包括: 一个感测电晶体,其源极连接至该资料输出入线, 以及另一感测电晶体,其源极连接至一互补资料输 出入线,其中该一个感测电晶体之闸极与汲极系交 叉连接至另一感测电晶体之闸极与汲极,以感测与 放大该资料输出入线与该互补资料输出入线间之 电流差; 负载电阻,分别连接至该些感测电晶体之汲极; 增益控制单元,各连接于各感测电晶体之该汲极与 接地端之间,该增益控制单元系回应于第一与第二 感测信号; 额外电阻,各并联于各负载电阻之两端,以回应于 该增益控制单元之该输出而形成一电流路径;以及 一开关电晶体,回应于一感测致能信号而使得流于 该资料输出入线内之电流与流于该互补资料输出 入线内之电流至接地端。13.如申请专利范围第12 项所述之半导体记忆体元件,其中各增益控制单元 包括: 一第一电晶体,具有连接至该第一感测信号之一闸 极以及连接至一感测电晶体之汲极之一汲极;以及 一第二电晶体,具有连接至该第二感测信号之一闸 极,连接至该第一电晶体之该源极之一汲极;以及 连接至接地端之一源极。14.如申请专利范围第12 项所述之半导体记忆体元件,其中该第一感测信号 系回应记忆体组选择信号与回应于该记忆体组选 择信号而选择之一记忆体组之读出信号而产生,且 该第二感测信号系该第一感测信号之反相。图式 简单说明: 第1图绘示包括传统电流感测放大器之半导体记忆 体元件之一部份方块图; 第2图绘示第1图之电流感测放大器之电路图; 第3图系第1图之位元线感测放大器之操作之波形 图; 第4图系根据本发明之第一实施例之电流感测放大 器之电路图; 第5图显示电晶体之一般电性特性; 第6图系根据本发明之第二实施例之电流感测放大 器之电路图; 第7图系第4图与第6图之感测信号之时序图;以及 第8图显示产生第7图之感测信号之感测信号产生 电路。 |
