| 主权项 |
1.一种波长变换方法,系于使光通过非线形光学结 晶以进行波长变换之波长变换方法中,将,接触于 上述非线形光学结晶已予波长变换之光出射之面 之环境气体,做成氮元素之含有率较空气为小之气 体,以进行波长变换者。2.如申请专利范围第1项之 波长变换方法,其中,将,非线形光学结晶将予波长 变换之光入射之入射端面及已予波长变换之光出 射之出射端面,以氮元素之含有率较空气为小之气 体覆盖,以进行波长变换者。3.如申请专利范围第1 项之波长变换方法,其中,将,接触于非线形光学结 晶将予波长变换之光入射之入射端面之环境气体, 与接触于已予波长变换之光出射之出射端面之环 境气体,做成不同成分之气体,以进行波长变换者 。4.如申请专利范围第1项之波长变换方法,其中, 使氮元素之含有率较空气为小之气体流通者。5. 如申请专利范围第4项之波长变换方法,其中,将氮 元素之含有率较空气为小之气体供给到非线形光 学结晶之至少出射端面之近傍之后,予以排出者。 6.如申请专利范围第1项之波长变换方法,其中,氮 元素之含有率较空气为小之气体为,含氮元素气体 之体积含有率为10%以下之气体者。7.如申请专利 范围第1项之波长变换方法,其中,该非线形光学结 晶为含钯之结晶者。8.如申请专利范围第1项之波 长变换方法,其中,该气体为,以稀有气体、氧气、 或二氧化碳气之中之任一种为主体之气体者。9. 如申请专利范围第3项之波长变换方法,其中,接触 于非线形光学结晶之已予波长变换之光出射之面 之环境气体之氮元素之含有率较空气为小之气体 为,以氩气为主体之气体者。10.一种波长变换装置 ,系使光通过非线形光学结晶以进行波长变换之波 长变换装置,具备,将接触于上述非线形光学结晶 已予波长变换之光出射之面之环境气体,做成氮元 素之含有率较空气为小之气体之装置者。11.如申 请专利范围第10项之波长变换装置,其中,该装置系 射出出射平均功率5W以上之经波长变换之光者。12 .如申请专利范围第10项之波长变换装置,其中,具 备:将非线形光学结晶之将予波长变换之光入射之 入射端面及已予波长变换之光出射之出射端面以 氮元素之含有率较空气为小之气体予以覆盖之装 置者。13.如申请专利范围第10项之波长变换装置, 其中,具备:将接触于非线形光学结晶之将予波长 变换之光入射之入射端面之环境气体与,接触于已 予波长变换之光出射之出射端面之环境气体,做成 成分不同之气体之装置者。14.如申请专利范围第 10项之波长变换装置,其中,具备:使氮元素之含有 率较空气为小之气体流通之装置者。15.如申请专 利范围第14项之波长变换装置,其中,具备:在其一 部分设有使入射光及出射光通过之窗或开口之容 器内配置非线形光学结晶,将氮元素之含有率较空 气为小之气体在上述容器内供给到非线形光学结 晶之至少出射端面之近傍之装置,以及,将上述经 供给之气体由上述容器予以排出之装置者。16.如 申请专利范围第10项之波长变换装置,其中,氮元素 之含有率较空气为小之气体为,含氮元素气体之体 积含有率为10%以下之气体者。17.如申请专利范围 第10项之波长变换装置,其中,非线形光学结晶为含 铯之结晶者。18.如申请专利范围第10项之波长变 换装置,其中,氮元素之含有率较空气为小之气体 为以稀有气体、氧气、或二氧化碳气之中之任一 种为主体之气体者。19.如申请专利范围第13项之 波长变换装置,其中,接触于非线形光学结晶之光 出射之面之环境气体之氮元素之含有率较空气为 小之气体为,以氩气为主体之气体者。20.一种雷射 加工机,包括:加工机;具备,做为加工光源之成为波 长变换之光源之雷射装置,与,将接触于非线形光 学结晶之已予波长变换之光出射之面之环境气体 做成氮元素之含有率较空气为小之气体之装置,以 及将上述雷射装置所发射之雷射光通过上述非线 形光学结晶予以波长变换之波长变换装置之波长 变换雷射装置者。图式简单说明: 第1图为本发明之实施例1之波长变换装置之纵剖 视图。 第2图为本发明之实施例1之波长变换装置之横剖 视图。 第3图为本发明之实施例2之波长变换装置之纵剖 视图。 第4图为本发明之实施例2之波长变换装置之横剖 视图。 第5图为本发明之实施例3之波长变换装置之纵剖 视图。 第6图为本发明之实施例4之波长变换装置之纵剖 视图。 第7图为本发明之实施例5之波长变换装置之纵剖 视图。 第8图为本发明之实施例6之波长变换装置之纵剖 视图。 第9图为本发明之实施例7之波长变换装置之纵剖 视图。 第10图为本发明之实施例8之波长变换雷射装置之 纵剖视图。 第11图为本发明之实施例9之雷射加工机之纵剖视 图。 第12图为习知之波长变换装置之纵剖视图。 |
