发明名称 氧化方法
摘要 在(1)N-羟基苯二甲醯亚胺等醯亚胺化合物构成的氧化触媒,或(2)此等醯亚胺化合物与过渡金属化合物(例如氧化物、卤化物、错合物、杂多酸盐等)的共氧化剂构成之氧化触媒存在下,令烃类、醇类、醛类、酮类等基质,与分子氧接触而氧化。在此氧化方法中,氧化反应系中之含水量,相对于醯亚胺化合物1莫耳,在200莫耳以下者。利用此等氧化方法,在温和条件下,藉分子氧可以良好效率将基质氧化,而得高品质之标的化合物。
申请公布号 TW508268 申请公布日期 2002.11.01
申请号 TW089102594 申请日期 2000.02.16
申请人 戴西尔化学工业股份有限公司 发明人 三浦裕幸;渡边仁志;伊奈智秀;中岛英彦
分类号 B01J31/00;C07C27/00 主分类号 B01J31/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种氧化方法,系包括在具有下式(1)所示之醯亚 胺单元化合物存在下,使基质与分子氧触媒,其中 氧化反应系统之水份量系在200莫耳或以下,以前述 1莫耳之化合物所具有醯亚胺单元计。 (式中X代表氧原子或羟基)2.如申请专利范围第1项 之氧化方法,其中具有醯亚胺单元之化合物为如下 式(2)所示: 式中R1和R2可相同或不同,代表氢原子、卤素原子 、烷基、芳基、环烷基、羟基、烷氧基、羧基、 烷氧羰基、醯基,R1和R2可彼此结合成双键、芳族 环或非芳族环,由R1和R2形成之芳族环或非芳族环 可具有上述式(1)所示醯亚胺单元至少其一,而X代 表氧原子或羟基。3.如申请专利范围第2项之氧化 方法,其中R1和R2彼此结合形成可有取代基之环己 烷环,可有取代基之环己烯环,可有取代基之5-原冰 片烯环,或可有取代基之苯环。4.如申请专利范围 第1项之氧化方法,其中由具有式(1)所示醯亚胺单 元之化合物与氧化剂构成氧化触媒。5.如申请专 利范围第4项之氧化方法,其中共氧化剂系含有选 自周期表3族元素、4族元素、5族元素、6族元素、 7族元素、8族元素、9族元素、10族元素、11族元素 及13族元素之至少一种元素的化合物。6.如申请专 利范围第1项之氧化方法,其中基质系选自(i)在烯 丙位或位具有碳-氢键之烃化合物,(ii)可具有取 代基之环烷,(iii)含环烷环或非芳族杂环之缩合环 烃,(iv)含有三级碳之桥接环烃,(v)于邻接不饱和键 之部位具有羟甲基之化合物,(vi)脂环族醇,(vii)具 有三级碳之脂环族醇,(viii)醛化合物,和(ix)酮类之 至少一种。7.如申请专利范围第1项之氧化方法,其 中可具有取代基之环烷以分子氧加以氧化,而生成 相对应环烷酮、环烷醇或二羧酸。8.如申请专利 范围第1项之氧化方法,其中氧化反应系中之水份 量,相对于具有式(1)所示醯亚胺单元之化合物1莫 耳,在0至50莫耳。9.如申请专利范围第1项之氧化方 法,其中相对于基质1莫耳,具有式(1)所示醯亚胺单 元之化合物使用0.01至0.5莫耳,而相对于具有前述 式(1)所示醯亚胺之化合物1莫耳,维持氧化反应系 中的水份量在0至30莫耳。10.如申请专利范围第9项 之氧化方法,其中具有式(1)所示醯亚胺单元之化合 物,与相对于基质1莫耳,0.001至0.1莫耳的共氧化剂, 构成氧化触媒。11.如申请专利范围第1项之氧化方 法,其中将氧化反应生成的水排出反应系外,以便 相对于具有式(1)所示醯亚胺单元之化合物1莫耳, 维持反应系中之水份量在0至30莫耳。12.如申请专 利范围第1项之氧化方法,其中在有机溶剂中进行 氧化反应,将反应生成的水、有机溶剂和具有式(1) 所示醯亚胺单元之化合物分离,分离之有机溶剂再 循环到氧化反应系。
地址 日本