| 主权项 |
1.一种晶圆之制造方法,系针对将晶圆表面镜面化 的研磨制程,其特征为: 为了产生晶圆的基准面,进行晶圆的背面研磨。2. 如申请专利范围第1项所述的晶圆之制造方法,其 中作为前述研磨制程,使用将晶圆进行复数阶段研 磨之复数阶段研磨制程,将前述背面研磨,在该复 数阶段研磨制程的1次研磨制程之后进行。3.如申 请专利范围第2项所述的晶圆之制造方法,其中对 于前述复数阶段研磨制程,系依照:双面(同时)研磨 →背面(单面)研磨→表面(单面)2次研磨→表面(单 面)精研磨的顺序,来进行晶圆的研磨。4.如申请专 利范围第2项所述的晶圆之制造方法,其中对于前 述复数阶段研磨制程,系依照:根据表面基准研磨 方式的表面(单面)1次研磨→背面(单面)研磨→表 面(单面)2次研磨→表面(单面)精研磨的顺序,来进 行晶圆的研磨。5.如申请专利范围第1.2.3或4项所 述的晶圆之制造方法,其中对于前述背面研磨,其 晶圆保持部为硬质,进而保持面系将晶圆保持在高 平坦度的晶圆保持盘下方,来进行研磨。6.如申请 专利范围第3项或第4项所述的晶圆之制造方法,其 中对于前述表面2次研磨制程,系藉由衬垫来保持 晶圆,且使用硬度为AskerC硬度70~90的研磨布,来研磨 晶圆。7.一种研磨装置,其特征为具备: 根据表面基准研磨方式,将晶圆的表面进行1次研 磨的第1研磨部; 将被该第1研磨部研磨之后的晶圆的表面和背面, 加以反转的第1反转装置; 使被第1研磨部研磨之后的面,吸附在晶圆保持盘 的下方,以强制地使其平坦的状态下,研磨晶圆的 背面之第2研磨部; 将被该第2研磨部研磨之后的晶圆的表面和背面, 加以反转的第2反转装置; 藉由无蜡方式,将晶圆的表面进行2次研磨的第3研 磨部;以及 藉由无蜡方式,将晶圆的表面进行精研磨的第4研 磨部。8.一种研磨装置,系针对至少具有3个研磨部 的研磨装置,其特征为具备: 在没有吸附晶圆的背面之情况下,研磨晶圆的表面 之第1研磨部; 将被该第1研磨部研磨之后的晶圆的表面和背面, 加以反转的第1反转装置; 使被第1研磨部研磨之后的面,吸附在平坦的晶圆 保持盘下方,以强制地使其平坦的状态下,研磨晶 圆的背面之第2研磨部; 将被该第2研磨部研磨之后的晶圆的表面和背面, 加以反转的第2反转装置;以及 在没有吸附晶圆的背面之情况下,研磨晶圆的表面 之第3研磨部。9.一种晶圆,系针对至少晶圆的单面 被镜面研磨的晶圆,其特征为: 该主面(表面)的形状,其SFQRmax为0.1m以下;而从晶 圆外周部往内2mm处开始算起至中心侧,没有反曲点 。10.如申请专利范围第9项所述之晶圆,其中将前 述晶圆表面,以边长2mm的四方形为单位,区分成复 数个区域,评价每个区域的PV値,而经过评价之后之 全部区域的PV値之中,最大的PV値为20nm以下。11.如 申请专利范围第9项所述之晶圆,其中将前述晶圆 表面,以边长2mm的四方形为单位,区分成复数个区 域,评价每个区域的PV値,而经过评价之后之全部区 域的PV値之中,最大的PV値为18nm以下。图式简单说 明: 第1图系表示关于本发明的晶圆之制造方法之第1 实施形态中的制程顺序之一例的流程图;(a)表示晶 圆的制造过程、(b)表示抛光制程的顺序。 第2图系表示在实施例1中,研磨完成后之晶圆表面 的平坦度之图。 第3图系表示在比较例1中,研磨完成后之晶圆表面 的平坦度之图。 第4图系表示在比较例2中,研磨完成后之晶圆表面 的平坦度之图。 第5图系表示在实施例1.比较例1以及比较例2中,研 磨完成后之晶圆周边部的剖面形状(从晶圆端面算 起的距离和厚度的变化之间的关系)之图。 第6图系表示在实施例1.比较例1以及比较例2中,研 磨完成后之晶圆的PV値和其占有率之间的关系之 图。 第7图系表示本发明的晶圆之制造方法的第1实施 形态中的制程顺序的一例之示意图。 第8图系表示在比较例1中的晶圆之制程顺序的示 意图。 第9图系表示在比较例2中的晶圆之制程顺序的示 意图。 第10图系表示关于本发明的晶圆之制造方法之第2 实施形态中的制程顺序之一例的流程图;(a)表示晶 圆的制造过程、(b)表示抛光制程的顺序。 第11图系表示关于本发明的晶圆之制造装置之一 个实施形态的平面概略说明图。 第12图系表示第11图之要部的侧面概略放大说明图 。 第13图系表示关于本发明的晶圆之制造装置之其 他实施形态的平面概略说明图。 第14图系表示单面研磨装置之一例的侧面说明图 。 第15图系表示双面研磨装置之一例的要部之摘要 剖面说明图。 第16图系表示在背面研磨中所使用之研磨装置之 一例的要部之摘要剖面说明图。 第17图系表示根据模板方式之晶圆研磨装置之一 例的要部之摘要剖面说明图。 第18图系表示关于习知的晶圆之制造方法的制程 顺序之一例的流程图;(a)表示晶圆的制造过程、(b) 表示抛光制程的顺序。 |
