半导体装置的制造方法,半导体装置,窄距用连接器,静电引动器,压电引动器,喷墨头,喷墨印表机,微型机器,液晶面板,电子机器

摘要

本发明系关于半导体装置的制造方法、半导体装置、窄距用连接器、包含此窄距用连接器之静电引动器、压电引动器、微型机器、液晶面板以及利用这些静电引动器、压电引动器之喷墨头、搭载这些喷墨头之喷墨印表机、电子机器。本发明之课题在于提供：不会由于空气中之浮游尘埃而产生短路之半导体装置的制造方法、半导体装置、窄距用连接器、静电引动器、压电引动器等之微型机器、包含这些之喷墨头、喷墨印表机、液晶面板、电子机器。其系一种切割矽晶圆(30)制作复数之半导体装置(20)之方法，在前述矽晶圆形成横跨切割线地被绝缘层覆盖之沟(30a)，沿着前述切割线切割前述矽晶圆。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法,其系一种切割矽晶 圆制造复数之半导体装置之方法,其特征为:在前 述矽晶圆形成横跨切割线地被绝缘层覆盖之沟,沿 着前述切割线以切割前述矽晶圆,在前述沟之底面 形成绝缘层后,在该绝缘层之上形成金属膜。2.如 申请专利范围第1项记载之半导体装置之制造方法 ,其中使前述金属膜与前述矽晶圆之结晶面相导通 。3.如申请专利范围第1项或第2项记载之半导体装 置之制造方法,其中使前述矽晶圆之表面的结晶面 为(110)面,藉由非等向性蚀刻在(110)面形成前述沟 。4.如申请专利范围第1项或第2项记载之半导体装 置之制造方法,其中使前述矽晶圆之表面的结晶面 为(100)面,藉由非等向性蚀刻在(100)面形成前述沟 。5.一种窄距用连接器,其系一种在基板上形成复 数之第1端子电极与复数之第2端子电极,形成电气 导通接续前述第1端子电极与前述第2端子电极用 之配线,前述配线具有转换前述第1端子电极间之 节距与前述第1端子电极间之节距之机能之窄距连 接器,其特征为: 在前述基板之外周缘面形成绝缘层。6.如申请专 利范围第5项记载之窄距用连接器,其中在前述外 周缘面具有倾斜部。7.如申请专利范围第5项记载 之窄距用连接器,其中在前述外周缘面具有段差部 。8.如申请专利范围第5至第7项中任一项记载之窄 距用连接器,其中在前述绝缘层之上形成金属膜。 9.如申请专利范围第8项记载之窄距用连接器,其中 使前述金属膜导通于前述基板。10.如申请专利范 围第5至第7项中任一项记载之窄距用连接器,其中 前述基板之热膨胀系数具有略等于前述连接对象 物之热膨胀系数,或比前述连接对象物之热膨胀系 数小之特性。11.如申请专利范围第5至第7项中任 一项记载之窄距用连接器,其中前述基板系藉由单 结晶矽所形成。12.如申请专利范围第11项记载之 窄距用连接器,其中前述单结晶矽之结晶面为(100) 面。13.如申请专利范围第11项记载之窄距用连接 器,其中前述单结晶矽之结晶面为(110)面。14.一种 微型机器,其系具有运动机构部以及形成复数之第 1端子电极之第1基板之微型机器,其特征为: 具有形成电气导通接续前述复数之第1端子电极用 之第2端子电极之第2基板; 在前述第2基板形成复数之第3端子电极以及电气 导通接续前述第2端子电极与前述第3端子电极用 之配线; 前述配线具有转换前述第2端子电极间之节距与前 述第3端子电极间之节距之机能; 在前述第2基板之外周缘面形成绝缘层。15.一种压 电引动器,其系具有压电元件以及形成复数之第1 端子电极之第1基板之压电引动器,其特征为: 具有形成电气导通接续前述复数之第1端子电极用 之第2端子电极之第2基板; 在前述第2基板形成复数之第3端子电极以及电气 导通接续前述第2端子电极与前述第3端子电极用 之配线; 前述配线具有转换前述第2端子电极间之节距与前 述第3端子电极间之节距之机能; 在前述第2基板之外周缘面形成绝缘层。16.一种静 电引动器,其系具有静电振动子以及形成复数之第 1端子电极之第1基板之静电引动器,其特征为: 具有形成电气导通接续前述复数之第1端子电极用 之第2端子电极之第2基板; 在前述第2基板形成复数之第3端子电极以及电气 导通接续前述第2端子电极与前述第3端子电极用 之配线; 前述配线具有转换前述第2端子电极间之节距与前 述第3端子电极间之节距之机能; 在前述第2基板之外周缘面形成绝缘层。17.一种喷 墨头,其系具有压电元件以及形成复数之第1端子 电极之第1基板,藉由前述压电元件使墨滴吐出之 喷墨头,其特征为: 具有形成电气导通接续前述复数之第1端子电极用 之第2端子电极之第2基板; 在前述第2基板形成复数之第3端子电极以及电气 导通接续前述第2端子电极与前述第3端子电极用 之配线; 前述配线具有转换前述第2端子电极间之节距与前 述第3端子电极间之节距之机能; 在前述第2基板之外周缘面形成绝缘层。18.一种喷 墨头,其系具有静电振动子以及形成复数之第1端 子电极之第1基板,藉由前述压静电振动子使墨滴 吐出之喷墨头,其特征为: 具有形成电气导通接续前述复数之第1端子电极用 之第2端子电极之第2基板; 在前述第2基板形成复数之第3端子电极以及电气 导通接续前述第2端子电极与前述第3端子电极用 之配线; 前述配线具有转换前述第2端子电极间之节距与前 述第3端子电极间之节距之机能; 在前述第2基板之外周缘面形成绝缘层。19.一种喷 墨印表机,其系具有形成:压电元件以及形成复数 之第1端子电极之第1基板之喷墨头之喷墨印表机, 其特征为: 具有形成电气导通接续前述复数之第1端子电极用 之第2端子电极之第2基板; 在前述第2基板形成复数之第3端子电极以及电气 导通接续前述第2端子电极与前述第3端子电极用 之配线; 前述配线具有转换前述第2端子电极间之节距与前 述第3端子电极间之节距之机能; 在前述第2基板之外周缘面形成绝缘层。20.一种喷 墨印表机,其系具有形成:静电振动子以及形成复 数之第1端子电极之第1基板之喷墨头之喷墨印表 机,其特征为: 具有形成电气导通接续前述复数之第1端子电极用 之第2端子电极之第2基板; 在前述第2基板形成复数之第3端子电极以及电气 导通接续前述第2端子电极与前述第3端子电极用 之配线; 前述配线具有转换前述第2端子电极间之节距与前 述第3端子电极间之节距之机能; 在前述第2基板之外周缘面形成绝缘层。21.一种液 晶装置,其系液晶被夹持在第1基板与第2基板之间, 在前述第1基板或前述第2基板之中之一方的基板 形成复数之第1端子电极之液晶装置,其特征为: 具有形成电气导通接续前述复数之第1端子电极用 之第2端子电极之第3基板; 在前述第3基板形成复数之第3端子电极以及电气 导通接续前述第2端子电极与前述第3端子电极用 之配线; 前述配线具有转换前述第2端子电极间之节距与前 述第3端子电极间之节距之机能; 在前述第3基板之外周缘面形成绝缘层。22.一种电 子机器,其系具有液晶装置之电子机器,其特征为: 前述液晶装置系具有第1基板与第2基板,液晶被夹 持在第1基板与第2基板之间,在前述第1基板或前述 第2基板之中之一方的基板形成复数之第1端子电 极; 具有形成电气导通接续前述复数之第1端子电极用 之第2端子电极之第3基板; 在前述第3基板形成复数之第3端子电极以及电气 导通接续前述第2端子电极与前述第3端子电极用 之配线; 前述配线具有转换前述第2端子电极间之节距与前 述第3端子电极间之节距之机能; 在前述第3基板之外周缘面形成绝缘层。图式简单 说明: 图1系显示本发明之实施形态1之窄距用连接器与 被连接此连接器之连接对象物之端子部份之正面 图。 图2(A)(B)系本发明之实施形态1之窄距用连接器之 缘部之剖面放大图。 图3系多数形成本发明之实施形态1之窄距用连接 器之矽晶圆之平面图。 图4(a)~(d)系本发明之实施形态1之窄距用连接器之 制造工程(其1)之说明图。 图5(e)~(g)系本发明之实施形态1之窄距用连接器之 制造工程(其2)之说明图。 图6(h)~(k)系本发明之实施形态1之窄距用连接器之 制造工程(其3)之说明图。 图7(a)~(b)系本发明之实施形态2之窄距用连接器之 制造工程之重要部位之说明图。 图8(a)~(b)系本发明之实施形态2之其它形态之窄距 用连接器之制造工程之重要部位之说明图。 图9(a)~(c)系本发明之实施形态3之窄距用连接器之 制造工程之重要部位之说明图。 图10(a)~(b)系本发明之实施形态4之窄距用连接器之 制造工程之重要部位之说明图。 图11系本发明之实施形态5之半导体装置(IC晶片)之 斜视图。 图12系本发明之实施形态5之作用说明图。 图13系与本发明之实施形态5比较之习知例之说明 图。 图14(A)(B)系显示本发明之实施形态6之静电引动器 之构造说明图。 图15系本实施形态6之压电引动器之说明图。 图16系本实施形态7之喷墨头之说明图。 图17系本实施形态8之喷墨印表机之内部说明图。 图18系本实施形态8之喷墨印表机之外观图。 图19(A)(B)系本实施形态9之微型机器之一例之说明 图。 图20系本实施形态10之其它例之光调制装置之说明 图。 图21系本实施形态11之液晶面板之说明图。 图22系本实施形态12之电子机器之说明图。 图23系形成习知之半导体装置之矽晶圆之平面图 。 图24系放大显示图23之A-A剖面图之重要部位之图。 图25系习知之半导体装置之制造工程之说明图。 图26(A)(B)系由矽晶圆被切出之习知的半导体装置 之重要部位放大图。