| 主权项 |
1.一种透明接触式面板用之透明导电膜,系设置在 透明接触式面板之至少一侧电极的电极基板上,以 构成该电极者,该透明接触式面板系一种在下部电 极与上部电极间以隔离构件间隔开,而积层形成者 ; 该透明导电膜之表面形状,其算数平均粗度(Ra)为0. 4nm≦Ra≦4.0 nm,且均方根粗度(Rms)为0.6nm≦Rms≦3.0nm 。2.一种透明接触式面板用之透明导电膜,系设置 在透明接触式面板之至少一侧电极的电极基板上, 以构成该电极者,该透明接触式面板系一种在下部 电极与上部电极间以隔离构件间隔开,而积层形成 者; 该透明导电膜系由氧化铟-氧化锡膜所模成,且在 表面所观察之金属氧化物之平面内之平均结晶粒 径(R)为40nm≦R≦200nm。3.一种透明接触式面板用之 透明导电膜,系设置在透明接触式面板之至少一侧 电极的电极基板上,以构成该电极者,该透明接触 式面板系一种在下部电极与上部电极间以隔离构 件间隔开,而积层形成者; 该透明导电膜系由添加有氟或锑之氧化锡膜所构 成,且在表面所观察之金属氧化物之平面内之平均 结晶粒径(R)为80nm≦R≦400nm。4.如申请专利范围第1 或2项之透明接触式面板用之透明导电膜,系由氧 化铟-氧化锡膜所构成,且该表面形状之算数平均 粗度(Ra)为0.4nm≦Ra≦3.0nm,而均方根粗度(Rms)则为0.6 nm≦Rms≦2.0nm者。5.如申请专利范围第1或3项之透 明接触式面板用之透明导电膜,其系由添加有氟或 锑之氧化锡膜所构成,且该表面形状之算数平均粗 度(Ra)为0.4nm≦Ra≦4.0nm,而均方根粗度(Rms)则为0.6nm ≦Rms≦3.0nm者。6.如申请专利范围第1.2或3项之透 明接触式面板用之透明导电膜,其中上述表面形状 ,系在Rp表示中心线深度,而Rmax表示最大粗度时,藉 着使一表现上述表面形状之参数(Rp/Rmax)小于0.55, 而使构成上述表面形状之粒子集合体之截面呈现 梯形形状或矩形形状。7.如申请专利范围第4项之 透明接触式面板用之透明导电膜,其中上述表面形 状,系在Rp表示中心线深度,而Rmax表示最大粗度时, 藉着使一表现上述表面形状之参数(Rp/Rmax)小于0.55 ,而使构成上述表面形状之粒子集合体之截面呈现 梯形形状或矩形形状。8.如申请专利范围第5项之 透明接触式面板用之透明导电膜,其中上述表面形 状,系在Rp表示中心线深度,而Rmax表示最大粗度时, 藉着使一表现上述表面形状之参数(Rp/Rmax)小于0.55 ,而使构成上述表面形状之粒子集合体之截面呈现 梯形形状或矩形形状。9.如申请专利范围第1.2或3 项之透明接触式面板用之透明导电膜,系利用一使 用溶胶-凝胶材料之涂抹法或印刷法所形成者。10. 如申请专利范围第4项之透明接触式面板用之透明 导电膜,系利用一使用溶胶-凝胶材料之涂抹法或 印刷法所形成者。11.如申请专利范围第4项之透明 接触式面板用之透明导电膜,在上述表面形状中, 在Rp表示中心线深度,且Rmax表示最大粗度时,藉使 一用以表现上述表面形状之参数(Rp/Rmax)小于0.55, 而使构成上述表面形状之粒子集合体之截面呈现 梯形形状或矩形形状;同时,以使用溶胶-凝胶材料 之涂抹法或印刷法来形成。12.一种透明接触式面 板,系使如申请专利范围第1.2或3项之透明接触式 面板用之透明导电膜设于上述下部电极及上述上 部电极之至少一侧电极之电极基板上,以构成该电 极者。13.一种透明接触式面板,系使如申请专利范 围第4项之透明接触式面板用之透明导电膜设于上 述下部电极及上述上部电极之至少一侧电极之电 极基板上,以构成该电极者。14.一种透明接触式面 板,系使如申请专利范围第5项之透明接触式面板 用之透明导电膜设于上述下部电极及上述上部电 极之至少一侧电极之电极基板上,以构成该电极者 。15.一种透明接触式面板用之透明导电膜之制造 方法,系制造一种设于透明接触式面板之至少一侧 电极之电极基板上以构成该电极之透明导电膜的 方法,该透明接触式面板系一种在下部电极与上部 电极间以隔离构件间隔开而积层形成者; 该制造方法系至少使一用以构成溶胶-凝胶材料之 有机金属化合物由铟或锡所构成,且藉一使用铟与 锡之构成重量比为5重量%≦{Sn/(In + Sn)}100≦15重量 %之溶胶-凝胶材料的涂抹法或印刷法,形成一氧化 铟-氧化锡膜,以使其表面形状之算数平均粗度(Ra) 为0.4nm≦Ra≦3.0nm,且均方根粗度(Rms)为0.6nm≦Rms≦2. 0nm。16.一种透明接触式面板用之透明导电膜之制 造方法,系制造一种设于透明接触式面板之至少一 侧电极之电极基板上以构成该电极之透明导电膜 的方法,该透明接触式面板系一种在下部电极与上 部电极间以隔离构件间隔开而积层形成者; 该制造方法系至少使构成溶胶-凝胶材料之有机金 属化合物由铟或锡所构成,且藉一使用铟与锡之构 成重量比为5重量%≦{Sn/(In+Sn)}100≦15重量%之溶胶- 凝胶材料之涂抹法或印刷法,形成一氧化铟-氧化 锡膜,以使在该表面所观察之金属氧化物之平面内 之平均结晶粒径(R)为40nm≦R≦200nm。17.一种透明接 触式面板用之透明导电膜之制造方法,系制造一种 设于透明接触式面板之至少一侧电极之电极基板 上以构成该电极之透明导电膜的方法,该透明接触 式面板系一种在下部电极与上部电极间以隔离构 件间隔开而积层形成者; 该制造方法系藉以溶胶-凝胶材料之涂抹法或印刷 法,涂抹或印刷溶胶-凝胶材料后,初步乾燥之,其次 在200℃至400℃之温度领域下,以每分钟40℃-60℃之 升温速度,进行氧化烧成,接着进行还原烧成,形成 一氧化铟-氧化锡膜,以使表面形状之算数平均粗 度(Ra)为0.4nm≦Ra≦3.0nm,且均方根粗度(Rms)为0.6nm≦ Rms≦2.0nm。18.一种透明接触式面板用之透明导电 膜之制造方法,系制造一种设于透明接触式面板之 至少一侧电极之电极基板上以构成该电极之透明 导电膜的方法,该透明接触式面板系一种在下部电 极与上部电极间以隔离构件间隔开而积层形成者; 该制造方法系藉以溶胶-凝胶材料之涂抹法或印刷 法,涂抹或印刷溶胶-凝胶材料后,初步乾燥之,接着 在200℃至400℃之温度领域下,以每分钟40℃-60℃之 升温速度进行氧化烧成,接着进行还原烧成,形成 一氧化铟-氧化锡膜,以使在表面所观察之金属氧 化物之平面内之平均结晶粒径(R)为40nm≦R≦200nm者 。19.如申请专利范围第15或16项之透明接触式面板 用之透明导电膜之制造方法,系藉以上述溶胶-凝 胶材料之涂抹法或印刷法形成上述透明导电膜时, 系使涂抹或印刷溶胶-凝胶材料后,初步乾燥之,接 着在200℃至400℃之温度领域下,以每分钟40℃-60℃ 之升温速度进行氧化烧成,接着进行还原烧成,以 形成上述透明导电膜。20.一种透明接触式面板用 之透明导电模,其系利用如申请专利范围第15.16.17 或18项之透明接触式面板用之透明导电膜之制造 方法所制造者。21.一种透明接触式面板用之透明 导电膜,其系利用如申请专利范围第19项之透明接 触式面板用之透明导电膜之制造方法所制造者。 图式简单说明: 第1图系显示本发明之一实施态样之透明接触式面 板之透明导电模之表面之截面形状之模式截面图; 第2图系显示一本发明之前述实施态样之透明接触 式面板之透明导电膜之金属氧化物之结晶粒径之 原子力间显微镜照片; 第3图系观测前述实施态样之透明接触式面板之透 明导电膜间因接触电阻之电压下降之方法之立体 图; 第4图系观测前述实施态样之透明接触式面板之透 明导电膜间因接触电阻之电压下降之方法之电路 图; 第5图系显示习知透明接触式面板之透明导电膜之 表面之截面形状之模式截面图; 第6图系表示在透明接触式面板上以轻重量连续输 入时所发生之飞线等不宜处之线描绘图; 第7图系输入于前述实施态样之透明接触式面板时 记录测定的输入电压Ev及临界値电压Evs之模式图; 第8图系输入于前述实施态样之透明接触式面板时 记录测定的理想输入电压Ev之模式图; 第9图系用以说明在前述实施态样之透明接触式面 板中表面粗度参数之算数平均粗度之线图; 第10图系用以说明在前述实施态样之透明接触式 面板中表面粗度参数之中心线(平均线)深度之线 图; 第11图系于前述实施态样之透明接触式面板之上 部电极与下部电极相对向之状态下,显示该透明导 电膜之表面之截面形状之模式截面图; 第12图系于前述实施态样之透明接触式面板之上 部电极与下部电极相对向之状态下,显示用笔输入 时之状态之模式图; 第13图系显示第2图之前述实施态样之透明接触式 面板之透明导电膜之金属氧化物之结晶粒径之原 子力间显微镜照片; 第14图系显示本发明之前述实施态样之透明接触 式面板之透明导电膜之金属氧化物之结晶粒径之 另一原子力间显微镜照片; 第15图系显示第14图之A-B线截面上,前述透明导电 膜之金属氧化物之结晶粒径之径高方向之变动之 线图; 第16图系显示第14图之C-D线截面上,前述透明导电 膜之金属氧化物之结晶粒径之径高方向之变动之 线图; 第17图系习知透明接触式面板之透明导电膜之金 属氧化物之结晶粒径之原子力间显微镜照片; 第18图系显示第17图之A-B线截面上,前述透明导电 膜之金属氧化物之结晶粒径之径高方向之变动之 线图; 第19图系显示第17图之C-D线截面上,前述透明导电 膜之金属氧化物之结晶粒径之径高方向之变动之 线图; 第20图系前述实施态样之前述透明导电膜藉印刷 法形成时,形成一实施例时所使用之薄膜形成装置 之立体图。 |
