MEMORIA DE SEMICONDUCTORES CON CELULAS DE MEMORIA DE DOS TRANSISTORES NO VOLATILES.

摘要

La invención se refiere a una memoria de semiconductores, especialmente con células de memoria transistora dual no volátil, que comprende un transistor de selección de N canales y un transistor de memoria de N canales, en la cual también se provee un circuito de disparo con un transistor de transferencia, y que es también objeto de la invención. El transistor de transferencia en el semiconductor de la invención está realizado como un transistor de transferencia de P canales, en el cual una conexión por canal de transferencia está enlazada con un circuito de líneas que conduce a la célula de memoria. Esto permite que los voltajes requeridos para la programación se consigan con poco esfuerzo tecnológico.