| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un procédé de formation d'un précurseur volatil du cuivre pour dépôt chimique en phase vapeur de couches minces de cuivre. Ce procédé implique la formation d'un liquide volatile représenté par la formule (n-R-m-cyclohexène)Cu(I)(hfac) ou (n-R-m-cyclopentène)Cu(I)(hfac), n et m valant 1 à 6, et R étant alkyle, tel que méthyle et éthyle.</p> |
