| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Kondensatorstruktur, die geeignet ist für Halbleiterelemente, und auf ein Verfahren zur Herstellung derartiger Kondensatoren für hochintegrierte Speicherelemente unter Verwendung einer dielektrischen TaON-Schicht mit einer hohen dielektrischen Konstante. Der Kondensator wird auf einem Halbleitersubstrat hergestellt, durch Bilden einer isolierenden Zwischenschicht auf dem Substrat, Bilden eines Kontaktloches durch die isolierende Zwischenschicht, Bilden eines Kontaktanschlusses in dem Kontaktloch, Bilden einer unteren Elektrode mit MPS, die elektrisch mit dem Kontaktanschluss verbunden ist, dotierende untere Elektrode, Bilden einer dielektrischen TaON-Schicht auf der unteren Elektrode, Ausheilen der dielektrischen TaON-Schicht und Bilden einer oberen Elektrodenschicht auf der dielektrischen TaON-Schicht.
|
