| 摘要 |
<p>Procédé de traitement de la surface d'un matériau semiconducteur, utilisant notamment l'hydrogène, et surface obtenue par ce procédé. Selon l'invention, on utilise par exemple l'hydrogène, on prépare la surface (S) pour qu'elle présente, à l'échelle atomique, une organisation contrôlée, et l'on hydrogèn e la surface ainsi préparée, la préparation et l'hydrogénation de la surface coopérant pour obtenir un état électrique prédéfini de la surface. L'inventi on trouve des applications, notamment en microélectronique, à la métallisation ou la passivation d'une surface semiconductrice.</p> |
