METHOD FOR THE PRODUCTION OF ONE-DIMENSIONAL NANOSTRUCTURES AND NANOSTRUCTURES OBTAINED ACCORDING TO SAID METHOD

摘要

Procédé de fabrication de nanostructures unidimensionnelles et nanostructure s obtenues par ce procédé. Selon l'invention, on forme des lignes atomiques parallèles (4), à la surface d'un substrat (2) de carbure de silicium, et on dépose sur cette surface une matière capable d'être adsorbée de façon sélective entre les lignes atomiques, sans l'être sur ces lignes atomiques, le dépôt de cette matière engendrant ainsi, entre les lignes atomiques, des bandes (6, 8) de cette matière. L'invention s'applique notamment à la fabrication de nanostructures possédant des bandes passivées ou métallisées.