发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要 <p>(과제) 동작 주파수가 한층 더 고속화된 경우라도, 제어 코맨드 칼럼이 액세스 제어시의 부담이 되는 문제점을 회피할 수 있으며, 복수의 뱅크에 대한 판독 및 기입 동작을 연속하여 끊임없이 실행할 수 있는 반도체 기억장치를 제공한다. (해결수단) 행렬 형상으로 배열된 복수의 메모리 셀로 이루어지는 뱅크 (A 및 B) 를 갖고, 각 뱅크 (A 및 B) 가 칼럼 방향으로 연장되는 데이터 입출력 라인을 갖고, 지정한 로우 어드레스내에 순차적으로 액세스하는 형식의 반도체 기억장치는, 뱅크 (A 및 B) 내에서 최초로 액세스할 제 1 뱅크를 판정하는 뱅크 판정 회로 (13) 와, 제 1 뱅크내에서 연속적으로 액세스되는 로우 어드레스를 카운트하는 로우 어드레스 카운터 회로 (14) 와, 제 1 뱅크내의 최상위 칼럼의 액세스 종료후에 제 2 뱅크내에 이어서 액세스하는 뱅크 전환 회로 (15) 를 구비하고, 제 1 뱅크와 제 2 뱅크 사이에서 번갈아 액세스를 전환하여 판독 또는 기입 동작을 연속해서 실시한다.</p>
申请公布号 KR100359360(B1) 申请公布日期 2002.10.31
申请号 KR19990049205 申请日期 1999.11.08
申请人 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 发明人 다께우찌게이
分类号 G06F12/02;G06F12/06;G11C7/10;G11C8/00;G11C8/12;G11C11/401;G11C11/407 主分类号 G06F12/02
代理机构 代理人
主权项
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