形成双极与CMOS兼容组件时形成电容器的方法及其装置

摘要

本发明为一种在形成BiCMOS组件时利用其制造过程同时形成电容器的制造方法及其装置,因此避免额外制造步骤,并节省制作所需的成本。此外,本发明是将一形成于晶体扩大层中的离子掺杂区作为电容器的一电极板,因而减少介电层的厚度,进而增加单位面积上的电容值。

主权项

1.一种形成双极与CMOS兼容组件时形成电容器的方法，适用于一半导体基板上，其特征是：包括下列步骤：于该半导体基板中形成一第一掩埋区与第二掩埋区；形成一层晶体扩大层于该半导体基板上；于该晶体扩大层中分别形成一第一阱区、一集极掺杂区、一第二阱区、及一第三阱区，且该第二阱区与该第三阱区分别掺有第一型离子与第二型离子，并且该第一阱区及该集极掺杂区是分别与该第一、第二掩埋区接触；形成一氧化层使全部覆盖于该第一阱区，并部分覆盖于该第二、与第三阱区之上；于该第一阱区与该集极掺杂区间的该晶体扩大层中形成一基极掺杂区；形成一导电层使全部覆盖于该第一阱区，并部分覆盖于该第二、第三阱区的氧化层、与该基极掺杂区之上；于该基极掺杂区中形成一基极接触区，并分别于该第二与第三阱区中形成第二型离子与第一型离子的重掺杂区；以及于该基极掺杂区中形成一射极掺杂区。