双晶片的连接过程

摘要

在分离的基片上生产微型结构,将各基片结合。这些结构中一个可以是温度敏感的CMOS电子线路。可以有在一个晶片上的高温热传感器和低温的CMOS电子线路。在该实例中结合材料是聚酰亚胺,将要结合的两个表面上的聚酰亚胺略为烘烤。将晶片放到晶片结合器中,使用精确的对齐使它们接触。加压和加热使在两个聚酰亚胺涂层之间形成结合。一个晶片可能需要从组合结构中除去。结合的结构中一个可以放到牺牲层上,牺牲层可以蚀刻掉从而便于除去一个晶片而不需磨制。在晶片除去之后,从现在已在聚酰亚胺上的结构之一的背侧到在晶片上另一个结构可以制成一触点。牺牲材料如聚酰亚胺可以从通过触点连接的各结构之间除去。微型结构可以与不是微型结构的物件,如单层或多层材料,晶体或无定形材料结合。

主权项

1.一种用于连接第一和第二晶片的过程，至少一个晶片具有微型结构，该过程包括：制作具有低温微型电子线路，具有第一组连接的第一晶片；在高温下制作具有与第一组连接镜象匹配的第二组连接的第二晶片；把聚酰亚胺层施加到所述第一晶片的顶侧上；把聚酰亚胺层施加到所述第二晶片的顶侧上；略为烘烤所述第一和第二晶片；使所述第一和第二晶片的顶侧互相面对；使所述第一和第二晶片互相对齐；在无氧化性的环境中，在一压力下以一温度将所述第一和第二晶片结合在一起；蚀刻出通过所述聚酰亚胺层向下达到各组相应连接的各孔；和溅射导电材料到孔中，以便制成到各组连接的触点。