| 发明名称 | 一种单壁纳米碳管储氢材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种单壁纳米碳管储氢弧材料的制备方法，采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式，阳极为由石墨、催化剂混合物组成的消耗阳极，催化剂选自铁、钴、镍、钇中的一种或多种，加入量为2.5～5.0at％，其特征在于：(1)反应气氛为50～400乇氢气；(2)阴极与阳极间成30～80°的角度；(3)构成阳极的反应物中加入0.5～1at％的硫或固体硫化物作生长促进剂；(4)所得单壁纳米碳管用20～65％HNO<SUB>3</SUB>或10～37％HCl酸洗，即得纳米碳管储氢材料。本发明制备的储氢材料储氢量高，且制备成本低廉，可以大量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN1093508C | 申请公布日期 | 2002.10.30 |
| 申请号 | CN99113021.9 | 申请日期 | 1999.06.16 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 成会明;刘畅;范月英;刘敏;丛洪涛;苏革 |
| 分类号 | C01B31/02;B01J19/08 | 主分类号 | C01B31/02 |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张晨 |
| 主权项 | 1.一种单壁纳米碳管储氢材料的制备方法，采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式，阳极为由石墨、催化剂混合物组成的消耗阳极，催化剂选自铁、钴、镍、钇中的一种或多种，加入量为2.5～5.0at％，其特征在于：(1)反应气氛为50～400乇氢气；(2)阴极与阳板间成30～80°的角度；(3)构成阳极的反应物中加入0.5～1at％的硫或固体硫化物作生长促进剂；(4)所得单壁纳米碳管用20～65％ HNO3或10～37％ HCl酸洗，即得纳米碳管储氢材料。 | ||
| 地址 | 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||