发明名称 | 在沿<1100>方向切割的基片上生长的碳化硅外延层 | ||
摘要 | 一种碳化硅外延膜,其生长在六方晶体形式的SiC晶体基片的切割表面上,该切割面沿<1100>;基片晶向约6度到约10度的切割角。所得的碳化硅外延膜具有优良的形态和材料性能。 | ||
申请公布号 | CN1377311A | 申请公布日期 | 2002.10.30 |
申请号 | CN00809431.4 | 申请日期 | 2000.06.01 |
申请人 | 高级技术材料公司 | 发明人 | 巴巴拉·E·兰迪尼;乔治·R·布兰德斯;迈克尔·A·蒂施勒 |
分类号 | B32B7/00;B32B9/00;B32B18/00;C03B25/02;C01B31/36 | 主分类号 | B32B7/00 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王维玉;丁业平 |
主权项 | 1.一种外延SiC膜,该膜生长在具有六方晶体结构的SiC基片的切割面上,且该切割面具有约6度到约10度的切割角,切割面的结晶学方向是沿基片的六个等同<1100>方向中的其中之一±7.5度。 | ||
地址 | 美国康涅狄格州 |