| 发明名称 | 形成图形的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成图形的方法。所述方法为,在厚2μm或更厚的抗蚀图形(11)上在酸的存在下交联形成涂层(3),并将涂层成形在基质(2)上,用从保护层扩散至涂层的酸交联靠近保护层的涂层(3)以加厚抗蚀图形,并有效地减少线和间隔图形、沟槽图形和多孔图形的间隔部分的尺寸,其中在形成涂层(3)之前和/或之后,用可见光或波长150－450nm的紫外线辐射抗蚀图形(11),来防止加厚图形的变形。通过电镀如此所形成的图形,精确地生产元件如磁头。 | ||
| 申请公布号 | CN1377477A | 申请公布日期 | 2002.10.30 |
| 申请号 | CN00813806.0 | 申请日期 | 2000.10.04 |
| 申请人 | 克拉瑞特国际有限公司 | 发明人 | 神田崇;田中初幸 |
| 分类号 | G03F7/40;H01L21/027;G11B5/31 | 主分类号 | G03F7/40 |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人 | 刘激扬 |
| 主权项 | 1.一种形成图形的方法，该方法包括在厚2μm或更厚的抗蚀图形上形成涂层，在酸的存在下所述涂层可被交联，然后用扩散自抗蚀图形的酸交联所述涂层以加厚抗蚀图形，其特征在于在形成所述涂层之前和/或之后，用可见光或波长150-450nm的紫外线辐射抗蚀图形。 | ||
| 地址 | 瑞士穆滕茨 | ||