发明名称 | 双坩埚区熔连续漏注装置 | ||
摘要 | 本实用新型涉及光学、玻璃材料制备,采用双坩埚连续区熔漏注装置包括:上坩埚、加热器件、漏注部件、下坩埚、保温层、炉壳、温控系统、加热电源、真空机组、热电偶、真空管道,背景技术产物占坩埚容积的60%,尺寸较小;本实用新型产物占下坩埚容积的90%,尺寸较大;在加热部件处小范围内加强保温,减少散热面积,提高加热效率,减轻对坩埚整体范围的保温要求,降低设计难度;单产量大幅度提高的同时热量损耗减小,周期基本不变,降低成本和单位产品的消耗;实现连续生产,减少单坩埚生产带来的周期性的拆装、预热等不便和人工、工时的浪费。适用于熔烧各种材料,特别适用于多晶光学材料的熔炼制备。 | ||
申请公布号 | CN2518873Y | 申请公布日期 | 2002.10.30 |
申请号 | CN01271789.4 | 申请日期 | 2001.11.30 |
申请人 | 长春奥普光电技术股份有限公司 | 发明人 | 任兵;崔承甲;沈永宏;刘占国;段安峰;王宇 |
分类号 | C30B13/14 | 主分类号 | C30B13/14 |
代理机构 | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人 | 梁爱荣 |
主权项 | 1、双坩埚区熔连续漏注装置包括有:加热器件2、保温层5、炉壳7、温控系统8、加热电源9、真空机组10、热电偶11、真空管道12,炉壳7与真空机组10用真空管道12连接,温控系统8的引线与炉壳7内的热电偶11连接,温控系统8与加热电源9之间用控制线连接,在炉壳7本体电极的两端分别与加热电源9和加热器件2连接,其特征在于:在炉壳7内部安置有上坩埚1、加热器件2、漏注部件3、下坩埚4、保温层5、保温层6、热电偶11,在上坩埚1的底侧装有漏注部件3,在漏注部件3的外部置有加热器件2,在加热器件2的外部置有保温层6,漏注部件3的下部置于下坩埚4的上方。 | ||
地址 | 130031吉林省长春市经济技术开发区营口路18号 |