| 发明名称 | 半导体元件的自行对准金属硅化物层形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件的自行对准金属硅化物层形成方法,包含一在至少400℃的温度环境下,将一金属材料溅镀在一半导体元件上的金属溅镀步骤;一以选择性蚀刻方式将未反应及反应后剩余的金属材料去除的蚀刻步骤:及一以快速升温退火方式来形成一自行对准金属硅化物层的高温退火步骤。据此,可通过高温金属溅镀方式,而在金属溅镀过程中原位形成中间体,则可在制造过程中减少一次快速升温退火,进而减少生产时间、增加成品率、降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1377063A | 申请公布日期 | 2002.10.30 |
| 申请号 | CN01110108.3 | 申请日期 | 2001.03.23 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 袁镇国;黄昭元;林志孟 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件的自行对准金属硅化物层形成方法，包括：一金属溅镀步骤，在至少400℃的温度环境下，将一金属材料溅镀在该半导体元件上；一蚀刻步骤，是以选择性蚀刻方式将未反应及反应后剩余的金属材料去除：及一高温退火步骤，是以快速升温退火方式来形成一自行对准金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||