| 发明名称 | 硅化钨层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅化钨层形成方法,将具有多晶硅层的半导体基底载入等离子体增强化学气相沉积装置的加工室中。将硅源气体、钨源气体和用于还原氯原子团的氢化合物气体导入该加工室中,从而在该多晶硅层上沉积硅化钨层。该硅源气体的氯原子团被氢化合物气体还原成氯化氢,并与废气一起除去。 | ||
| 申请公布号 | CN1377064A | 申请公布日期 | 2002.10.30 |
| 申请号 | CN02107970.6 | 申请日期 | 2002.03.22 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 元济亨 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/285;H01L21/205 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王维玉;丁业平 |
| 主权项 | 1.一种形成硅化钨层的方法，包括：将具有多晶硅层的半导体基底载入等离子体增强化学气相沉积装置的加工室中；并并将硅源气体、钨源气体和氢化合物气体导入该加工室中，以便在多晶硅层上沉积硅化钨层，其中该硅源气体包含氯，且其中用该氢化合物气体的氢原子团还原该硅源气体的氯原子团。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||