CMOS集成电路中的快速传播技术

摘要

用于CMOS电路的一种快速传播技术，从而以在相对的缘处的较慢的信号转变为代价，实现了在传播的信号的信息携带缘处的更快速的信号转变。本发明的这一技术，使CMOS电路中的P沟道拉起晶体管同N沟道拉下晶体管的大小比值不对称，以在该信号的一个(上升或下降)缘获得快得多的转变，且在相对的缘获得较慢的转变。本发明的快速传播技术特别适合于诸如同步RAM的同步数字CMOS电路。

主权项

1.在一种其中输入数据只在预定时刻改变的互补型金属氧化物半导体(CMOS)电路中，一种快速传播电路，包括：一个脉冲发生器，用于在一个输入端接收输入信号，并用于在一个输出端产生在该信号的信息携带缘上的窄脉冲；以及一个逻辑电路，它具有P沟道拉起晶体管和N沟道拉下晶体管，并具有用于接收该窄脉冲的输入端，该P沟道和N沟道晶体管的沟道大小具有适当的比值，以获得对信息携带缘的快速信号转变和对相对的缘的缓慢信号转变。