METHOD FOR MODIFYING A FILM FORMING SURFACE OF A SUBSTRATE ON WHICH A FILM IS TO BE FORMED AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

摘要

산소(O)에 오존(O)을 함유하는 오존 함유 가스와 테트라-에틸-오르토-실리케이트를 함유하는 반응 가스를 이용한 열 CVD 법에 의한 성막에 앞서 기판의 피성막면에 막을 형성함에 있어서 기부 표면 의존성을 제거할 수 있는, 기판의 피성막면을 개질하는 방법이 개시돼 있다. 그 방법은 기판(102)의 피성막면(12)을 암모니아, 하이드라진, 아민, 그의 가스들 및 그의 수용액들의 어느 하나를 기판(102)의 표면 상에 절연막(13)을 형성하기에 앞서 기판의 표면과 접촉시킴에 의하여 개질하는 단계로 이루어져 있다.