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发明名称 Heterojunction bipolar transistor and method for fabricating the same
摘要
申请公布号 EP1037284(A3) 申请公布日期 2002.10.30
申请号 EP20000105401 申请日期 2000.03.14
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 发明人 ASAI, AKIRA;OONISHI,TERUHITO;TAKAGI, TAKESHI;SAITOH, TOHRU;HARA, YOSHIHIRO;YUKI, KOICHIRO;NOZAWA, KATSUYA;KANZAWA, YOSHIHIKO;KATAYAMA, KOJI;ICHIKAWA, YO
分类号 H01L21/331;H01L21/763;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/737;(IPC1-7):H01L29/737;H01L21/824 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
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