发明名称 |
SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT HAVING A DIVERGING REGION |
摘要 |
단일모드 광섬유에 접속하기 위한 반도체 리지 레이저는 좁은 평행영역, 발산영역 및 출력단면에 이웃한 넓은 평행영역을 구비한 리지를 갖는다. 레이저의 펌프영역은 리지의 전체 영역보다 작고, "T"자형태를 갖는다. 바람직하게, 상기 리지는 약 350 내지 550㎚의 깊이를 갖고, 상기 좁은 평행영역은 리지의 전체길이의 0.4배 이상의 길이를 갖는다. 출력에서 넓은 평행영역은 레이저가 낮은 열저항을 얻을 수 있도록 하며, 이는 낮은 작동온도, 레이저 공동에서의 낮은 출력밀도 및 낮은 비점수차의 원인이 된다. |
申请公布号 |
KR20020081237(A) |
申请公布日期 |
2002.10.26 |
申请号 |
KR20027008322 |
申请日期 |
2002.06.26 |
申请人 |
코닝 오.티.아이. 에스피에이 |
发明人 |
발사모,스테파노;지스로티,죠르지오;모라스카,살바토르;트레찌,피오렌조 |
分类号 |
H01S5/22;H01S5/042;H01S5/10;H01S5/20 |
主分类号 |
H01S5/22 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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