| 发明名称 |
TRANSISTOR MOS A SOURCE ET DRAIN METALLIQUES, ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2806832(B1) |
申请公布日期 |
2002.10.25 |
| 申请号 |
FR20000003634 |
申请日期 |
2000.03.22 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
DELEONIBUS SIMON |
| 分类号 |
H01L29/417;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/335;H01L29/772 |
主分类号 |
H01L29/417 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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