| 摘要 |
<p>본 발명은 캐패시터와 트랜지스터간 배선 특성을 향상시킨 강유전체 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 트랜지스터가 형성된 반도체 기판 상부에 상기 트랜지스터의 일측에 접속되는 비트라인과 상기 트랜지스터의 타측에 접속되는 캐패시터의 콘택패드를 동시에 형성하는 단계, 상기 비트라인과 상기 콘택패드를 포함한 전면에 제1절연막을 형성하는 단계, 상기 제1층간절연막의 소정 표면상에 하부전극, 강유전체 및 상부전극을 구비하는 캐패시터를 형성하는 단계, 상기 캐패시터를 포함한 전면에 제2층간절연막과 접착층을 차례로 형성하는 단계, 상기 접착층과 제2층간절연막을 식각하여 상기 캐패시터의 상부전극과 상기 콘택패드를 전기적으로 연결하기 위한 콘택홀을 형성하는 단계, 및 상기 캐패시터의 상부전극과 동일한 물질을 이용하여 상기 콘택홀을 통해 상기 콘택패드와 상부전극을 전기적으로 연결하는 국부배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
