| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 비트라인 콘택과 캐패시터 콘택을 반도체 기판과 연결해 주는 랜딩 플러그 폴리(landing plug poly; LPP)의 구조를 채용하는 반도체 소자에서, 콘택 랜딩 플러그들과 비트라인간의 절연을 위한 캡핑층을 우수한 골 매립 특성을 갖는 HDP-CVD 산화막을 이용하므로, 콘택 랜딩 플러그 형성을 위한 화학적 기계적 연마 공정후의 세정 공정시 워드라인 사이의 층간 절연막의 식각 손실로 인해 발생되는 골 부분을 양호하게 매립시킬 수 있어, 후속 공정으로 형성된 비트라인간의 브릿지 현상을 방지할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 기술된다.</p> |
