SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH REDUCED POWER CONSUMPTION AND STABLE OPERATION IN DATA HOLDING STATE

摘要

본 발명에 따르면, 통상 동작 모드와 셀프 리프레시 동작 모드를 가지며, 내부 전원 전압(Vcc)이 소정값보다 큰 경우에는 제 1 기판 전압(V)을 생성하고, 작은 경우는 절대값이 보다 작은 제 2 기판 전압(V)을 생성하는 V발생 회로(204)와, 셀프 리프레시 동작 모드에서 내부 전원 전압(Vcc)이 소정값보다 낮아졌을 때 저항 분할된 Vcc/2의 전압을 출력하는 비트선 등가 전압(V) 발생 회로(205)와, 셀프 리프레시 동작 모드에서 내부 전원 전압(Vcc)이 소정값보다 낮게 되었을 때 4K 동작을 실행하기 위한 신호(4KE)를 생성하는 4KE 신호 생성 회로(220)와, 리프레시 어드레스 발생 회로(221)를 구비한다.