| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 불순물 접합영역이 형성된 반도체기판 상부에 폴리실리콘, 마스크산화막, 마스크질화막의 적층구조를 형성하고 상기 적층구조를 비트라인 마스크를 이용한 사진식각공정으로 패터닝한 다음, 그 측벽에 질화막 스페이서가 구비되는 비트라인을 형성하고 전체표면상부에 워드라인용 폴리실리콘을 형성한 다음, 전체표면상부에 층간절연막을 형성하고 상기 층간절연막을 평탄화식각하여 상기 워드라인용 폴리실리콘을 노출시킨 다음, 상기 층간절연막과 워드라인용 폴리실리콘을 순차적으로 식각하여 워드라인을 형성하는 공정으로 워드라인 및 비트라인의 특성 열화 없이 제조공정을 용이하게 실시하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.</p> |
