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<p>Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Betrieb einer MRAM-Halbleiterspeicheranordnung werden zum Lesen einer gespeicherten Information reversible magnetische Änderungen an der TMR-Zelle (TMR1, TMR2, ...) vorgenommen und ein dadurch kurzzeitig veränderter Strom mit dem ursprünglichen Lesesignal verglichen. Dadurch kann die TMR-Speicherzelle selbst als Referenz dienen, obwohl die Information in der TMR-Speicherzellenicht zerstört wird, d.h. es muss nicht zurückgeschrieben werden. Die Erfindung ist bevorzugt anwendbar bei einer MRAM-Speicheranordnung, bei der mehrere TMR-Zellen (TMR1, ..., TMR4) parallel an einen Auswahltransistor (TR1) angeschlossen sind und bei der eine nicht mit der Speicherzelle elektrisch verbundene Schreibleitung (WL1, WL2) vorhanden ist.</p> |
