Offset drain fermi-threshold field effect transistors,申请号AU20000018130-传众专利搜索

发明名称	Offset drain fermi-threshold field effect transistors
摘要
申请公布号	AU753744(B2)	申请公布日期	2002.10.24
申请号	AU20000018130	申请日期	1999.11.04
申请人	THUNDERBIRD TECHNOLOGIES, INC.	发明人	WILLIAM R. RICHARDS JR.;MICHAEL W. DENNEN
分类号	H01L29/43;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78	主分类号	H01L29/43
代理机构		代理人
主权项
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