多值的磁阻写/读存储器以及该存储器的读写方法

摘要

讲述一种多值的磁阻写/读存储器(10)。该存储器(10)具有一个或多个存储单元(11),其中每个存储单元(11)都具有两根交叉的电线(12,13)和一个位于所述电线(12,13)的交叉点处的、由磁层构成的层系统。为了获得一种具有相应存储容量和最佳读写性能的多值存储器(10),本发明规定,所述的层系统被构造为具有两个或多个磁层(31,32)及位于其间的隧道电介质层(35)的多层系统(30),至少两个、但最多是所有的磁层(31,32)具有可以相互独立调整的磁化方向(33,34),而且所述各个层(31,32)中的磁化方向(33,34)根据流过所述电线(12,13)的电流进行变化,或可以这样变化。另外还讲述了用于读和写该存储器(10)的方法。

主权项

1.磁阻写/读存储器，具有一个或多个存储单元(11)，其中每个存储单元(11)都具有两根交叉的电线(12，13)和一个位于所述电线(12，13)的交叉点处的、由磁层构成的层系统，其特征在于：所述的层系统被构造为具有两个或多个磁层(31，32；41～45)的多层系统(30；40)，至少两个、但最多是所有的磁层(31，32；41～45)具有可以相互独立调整的磁化方向(33，34；46～50)，而且所述各个层(31，32；41～45)中的磁化方向(33，34；46～50)根据流过所述电线(12，13)的电流进行变化，或可以这样变化。