| 发明名称 | 碳素薄膜的蚀刻方法和蚀刻设备 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于,在用于去除形成在试样表面上的碳素薄膜时防止损伤试样、且免去提供为等离子蚀刻所需的特殊装置(诸如真空泵)的必要性。本发明的蚀刻设备包括:密封反应室(100A),其表面上形成有碳素薄膜(510)的试样(500)设置在该反应室中;用于从反应室(100A)的一端向其内部供给已混入预定比例的氧气O<SUB>2</SUB>的惰性气体Ar氩气的气体供给装置(200A);用于将二氧化碳气体CO<SUB>2</SUB>从自气体供给装置(200A)供给的惰性气体Ar的下游侧排出的排气装置(300A);以及用于将试样500加热至550℃或更高的加热装置(400A)。 | ||
| 申请公布号 | CN1375861A | 申请公布日期 | 2002.10.23 |
| 申请号 | CN02106937.9 | 申请日期 | 2002.03.08 |
| 申请人 | 大阪府;星电器制造株式会社 | 发明人 | 泉胜俊;大林义昭;峰启治;条边文彦 |
| 分类号 | H01L21/302;H01L21/3065;C23F4/00 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 胡晓萍 |
| 主权项 | 1.一种用于去除形成在试样的表面上的碳素薄膜的碳素薄膜的蚀刻方法，其中，通过在已混入预定比例的氧气的惰性气体的大气中将所述试样加热至550℃或更高来蚀刻所述碳素薄膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||