| 发明名称 | 在半导体制造过程中减少全氟化合物散发的方法和装置 | ||
| 摘要 | 一种在半导体制造工艺中减少PFC散发的方法,该半导体制造工艺包括一组子工艺,每个子工艺产生至少一种PFC,该方法包括以下步骤:将由各个子工艺产生的PFC排放至公共管线以形成混合的排出气流;用分立的PFC消除系统处理来自各个子工艺的混合排出气流;混合经处理的排出气流以形成混合的经处理的气流,湿洗混合的经处理的气流。 | ||
| 申请公布号 | CN1375858A | 申请公布日期 | 2002.10.23 |
| 申请号 | CN01136475.0 | 申请日期 | 2001.10.18 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 蔡胜基;李相坤;丁相赫;许星镇 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种在半导体制造工艺中减少PFC散发的方法，该半导体制造工艺具有多个子工艺，每个子工艺产生至少一种PFC，该方法包括以下步骤：(i)将由各个子工艺产生的PFC排放至公共管线以形成混合的排出气流；(ii)用分立的PFC消除系统处理来自于各个子工艺的混合排出气流；(iii)混合经处理的排出气流以形成混合的经处理的气流；(iv)湿洗混合的经处理的气流。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||