半导体装置及其制造方法

摘要

作为半导体装置的掩膜ROM的稳定制造方法。其一,在基片上间隔栅绝缘膜形成栅电极,邻接该栅电极形成源、漏区,间隔将栅电极遮覆的层间绝缘膜形成铝布线;以铝布线为掩膜在基片表层注入杂质离子,在铝布线上形成保护膜,使得刻蚀所述层间绝缘膜时铝布线不外露。其二,在基片31上间隔栅绝缘膜35形成栅电极38,邻接该栅电极38形成源、漏区,间隔将栅电极38遮覆的层间绝缘膜44形成窄幅与宽幅铝布线45、45A,平坦化处理遮覆铝布线45、45A的SOG膜49,形成层间绝缘膜51;在层间绝缘膜51、44被刻蚀后,以铝布线45、45A上方的光刻胶54和该铝布线45、45A为掩膜向基片表层注入杂质离子;特征是在铝布线45A上形成凹陷部47。

主权项

1.一种半导体装置，它包括：在半导体基片上间隔栅绝缘膜形成的栅电极，邻接该栅电极形成的源、漏区，以及间隔将所述栅电极遮覆的层间绝缘膜形成的金属布线；在以所述金属布线上形成的光刻胶和该金属布线为掩膜对部分的所述层间绝缘膜作了刻蚀的状态下，向所述基片表层注入杂质离子，即形成该半导体装置；其特征在于：所述金属布线上已形成所述层间绝缘膜刻蚀时的保护膜。