| 发明名称 | 化学机械抛光后半导体表面的清洗溶液 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种对化学机械抛光后的半导体晶片表面污染物进行清洗的组合物及方法。此清洗组合物包括羧酸、含胺化合物、膦酸及水。此清洗组合物有用于去除研磨剂残留及在化学机械抛光后半导体晶片表面的金属污染物。 | ||
| 申请公布号 | CN1376307A | 申请公布日期 | 2002.10.23 |
| 申请号 | CN00813314.X | 申请日期 | 2000.09.22 |
| 申请人 | 卡伯特微电子公司 | 发明人 | 王淑敏 |
| 分类号 | H01L21/306;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/36;C11D3/20;C11D1/46;C11D3/36 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 宋莉;贾静环 |
| 主权项 | 1、一种用来对化学机械抛光后半导体晶片上的研磨剂颗粒及金属离子进行清洗的组合物，包含羧酸、含胺化合物、膦酸、及水。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||