| 摘要 |
범프(12)가 설치된 복수의 반도체 소자(11)가 형성된 기판(16)을 금형(20)의 캐비티(28) 내에 장착하고, 이어서 범프(12)의 설치 위치에 수지(35)를 공급하여 범프(12)를 밀봉하여 수지층(13)을 형성하는 수지 밀봉 공정과, 수지층(13)으로 덮힌 범프(12)의 적어도 선단부를 수지층(13)으로부터 노출시키는 돌기 전극 노출 공정과, 기판(16)을 수지층(13)과 함께 절단하여 각각의 반도체 소자(11)로 분리하는 분리 공정을 구비한다. |
