| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 다층배선 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 비아홀의 종횡비가 증가함에 따라 배리어 금속층이 균일하지 않게 형성되어 구리층의 증착시에 보이드가 형성됨으로써, 배선의 신뢰성이 급격히 악화되는 문제점이 있으며, 또한 배리어 금속층을 증착하기 전에 세정을 통해 기판상의 자연산화막을 제거하게 되는데, 이때 식각정지 질화막에서 오버행이 발생하여 배리어 금속층의 균일한 증착이 더욱 어려워지는 문제점이 있다. 따라서, 본 발명은 기판이나 또는 하부배선 상부에 캡 질화막, 비아 산화막, 식각정지 질화막 및 내부접속 산화막을 순차적으로 형성한 다음 내부접속 산화막 상부에 기판에 형성된 소자의 특정영역이나 하부배선의 접속될 영역이 개방되도록 비아홀 마스크 패턴을 형성하여 상기 캡 질화막이 노출될때까지 식각하고, 비아홀 마스크 패턴을 제거하는 공정과; 상기 결과물의 상부전면에 테이퍼 산화막을 형성한 다음 블랭킷 식각하여 비아홀 마스크 패턴을 통해 식각된 측면에 측벽을 형성하는 공정과; 상기 내부접속 산화막의 상부에 비아홀을 포함하여 내부접속 배선 영역이 개방되도록 내부접속 배선 마스크 패턴을 형성하여 상기 내부접속 산화막을 식각한 다음 내부접속 배선 마스크 패턴을 제거하고, 노출된 식각정지 질화막과 캡 질화막을 블랭킷 식각하는 공정과; 상기 결과물의 상부에 배리어 금속층과 구리층을 형성한 다음 평탄화하여 식각된 영역을 채우는 공정으로 이루어지는 반도체소자의 다층배선 형성방법을 제공하여 비아홀의 단면을 경사지게 형성함에 따라 배리어 금속층을 균일하게 형성할 수 있게 되어 구리층의 채워지는 특성을 향상시킴으로써, 배선의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.</p> |
