| 摘要 |
<p>본 발명은 텅스텐 나이트라이드를 베리어층으로 사용하여 공정을 단순화하고 배선의 열적 안정성을 확보한 반도체 소자의 금속 배선 및 그의 형성 방법에 관한 것으로, 그 구조는 셀 트랜지스터등이 형성된 반도체 기판상에 콘택홀을 갖고 형성되는 층간 절연층; 상기 콘택홀내부에 일정 높이로 매립 형성되는 Si 플러그층, 상기 Si 플러그층의 표면에 형성되는 WNx 플러그층, 상기 WNx 플러그층상에 콘택홀을 완전 매립하고 형성되는 W 플러그층으로 이루어진 콘택 플러그층; 상기 콘택 플러그층이 형성된 일정 부분을 제외하고 상기 층간 절연층상에 형성되는 에치 스토퍼층과; 상기 에치 스토퍼층상에 상기 콘택 플러그층이 노출되는 트렌치를 갖고 형성되는 산화막층과; 상기 트렌치 표면에 하부 전극층,유전체층,상부 전극층으로 구성된 커패시터를 포함하여 구성된다.</p> |
