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<p>반도체소자의 자기정렬 콘택구조체를 형성하는 방법이 제공된다. 도전성 패드를 갖는 반도체기판 상에 제1 층간절연막을 형성하고, 제1 층간절연막 상에 낮은 유전상수를 갖는 제2 층간절연막을 형성한다. 제2 층간절연막 내에 다마신 공정을 사용하여 한 쌍의 배선을 형성한다. 각 배선 상에 제2 층간절연막보다 높은 유전상수를 갖는 절연체막으로 마스크 패턴을 형성한다. 각 마스크 패턴의 폭은 그 아래의 배선보다 넓은 폭을 갖는다. 마스크 패턴들을 식각 마스크로 사용하여 배선들 사이의 제2 층간절연막 및 제1 층간절연막을 연속적으로 식각하여 도전성 패드를 노출시키는 자기정렬 콘택홀을 형성한다. 자기정렬 콘택홀을 채우는 도전막 패턴을 형성한다. 이에 따라, 자기정렬 콘택홀을 채우는 도전막 패턴과 각 배선 사이에 유전상수가 낮은 제2 층간절연막이 개재되어 도전막 패턴 및 각 배선 사이의 커플링 커패시턴스를 감소시킬 수 있다.</p> |
