| 发明名称 |
Manufacturing method for semiconductor device |
| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 종래의 반도체 소자의 제조방식에서의 공정을 크게 변형하지 않고 폴리2 퓨즈의 상부에 일정 두께의 산화막을 유지시키는 단순한 공정을 추가하거나 폴리4 정지층의 레이아웃을 변형시킴에 의해 반도체 소자의 리페어 수율을 향상시킬 수 있는 기술이다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100357302(B1) |
申请公布日期 |
2002.10.19 |
| 申请号 |
KR19990068041 |
申请日期 |
1999.12.31 |
| 申请人 |
주식회사 하이닉스반도체 |
发明人 |
김을락;신중식 |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L23/525;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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