| 摘要 |
<p>본 발명은 터널링 반도체 소자를 개시한다. 개시된 본 발명은 필드 산화막이 구축된 반도체 기판; 상기 반도체 기판상의 소정 부분에 형성되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 반도체 기판 사이에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 산화막의 가장자리 일부와 오버랩되도록, 반도체 기판내에 형성되는 드레인 영역을 포함하며, 상기 게이트 전극에 소정 전압 인가되면, 상기 게이트 산화막과 상기 드레인 영역이 포텐셜 베리어가 되어, 상기 게이트 산화막과 드레인 영역의 접합 부분에서 포텐셜 웰이 형성되어, 드레인 영역에 터널링 전류가 발생되는 것을 특징으로 한다.</p> |
