发明名称 Solid state image sensing device and method for fabricating the same
摘要 본 발명은 고체 촬상 소자에 관한 것으로, 빛에 의한 영상 신호를 전기적인 신호로 변환하는 포토다이오드 영역들과 이들 포토다이오드 영역들에서 생성된 영상 전하를 일방향으로 전송하는 전하 전송 영역들을 포함하고, 상기 포토다이오드 영역들에 대응하여 그 상측에 서로 이격되어 형성되어 포토다이오드 영역내로 빛을 집속시키는 마이크로 렌즈 제 1 층;상기 마이크로 렌즈 제 1 층보다 큰 굴절율을 갖는 물질로 전면에 형성되어 마이크로 렌즈 제 1 층의 에지 부분 및 그들간의 이격 부분으로 입사되는 빛을 포토다이오드 영역내로 집속시키는 마이크로 렌즈 제 2 층을 포함하여 구성된다.
申请公布号 KR100357178(B1) 申请公布日期 2002.10.18
申请号 KR19990022582 申请日期 1999.06.16
申请人 주식회사 하이닉스반도체 发明人 이춘탁
分类号 H01L27/146;H01L21/46;H01L27/148;H01L29/768;H01L31/0232;H01L31/062;H01L31/113 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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