| 摘要 |
<p>먼저, 웨이퍼의 상부에 알루미늄으로 이루어진 박막을 적층하고, 알루미늄 박막을 패터닝하기 위해 그 상부에 감광성 물질을 도포하고 노광 현상하여 감광막 패턴을 형성한다. 여기서, 형성된 감광막 패턴에 오류가 있거나 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 식각 공정을 마친 감광막 패턴을 제거하는 작업이 요구된다. 이때, 우선 신나(thinner)를 이용하여 감광막 패턴의 90% 정도를 스트립(strip)하여 제거한다. 다음, 감광성 물질을 습식 식각하기 위한 식각용 용액이 담겨진 제1 용기에 웨이퍼를 담아 10% 정도 잔류하는 감광막 패턴의 찌꺼기를 제거한다. 이어, 웨이퍼에 묻어 있는 식각용 용액을 세정하기 위해 IPA(isopropylalcohol) 용액이 담겨져 있는 제2 용액에 웨이퍼를 담그고 난 다음, 건조기를 통하여 웨이퍼에 묻어 있는 IPA 용액을 건조시킨다. 이때, 초순수 대신 IPA를 사용함으로써 알루미늄 박막에서 배터리 구조가 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이어, 웨이퍼를 제2 용기로부터 꺼내어, 웨이퍼를 고속으로 회전시킬 수 있는 지지대의 상부에 옮긴 다음, 웨이퍼를 회전시킴과 동시에 웨이퍼의 상부에서 초순수 분사기를 이용하여 웨이퍼에 초순수를 분사하여 웨이퍼의 상부에 잔류하는 이물질을 완전히 제거하여 웨이퍼를 완전히 세정한다. 이렇게 스핀(spin) 방식으로 웨이퍼를 회전시키면서 초순수를 분사하는 경우에는 알루미늄 박막 내부에서 배터리 구조가 형성되는 것이 억제되어 알루미늄 박막이 부식되는 것을 방지할 수 있다.</p> |
