发明名称 Erhöhen der Helligkeit von Licht emittierenden III-Nitrid-Anordnungen
摘要 LEDs, bei denen Licht emittierendes aktives III-Nitrid-Gebiet verwendet wird, das auf einer Basisschicht über einem Substrat aufgebracht ist, weisen verbesserte optische Eigenschaften auf, wenn die Basisschicht auf einem absichtlich fehlausgerichteten Substrat mit einer Dicke größer als 3,5 mum aufgewachsen ist. Verbesserte Helligkeit, verbesserte Quantenausbeute und eine Verringerung des Stroms, bei dem maximale Quantenausbeute auftritt, gehören zu den verbesserten optischen Eigenschaften, die sich aus der Verwendung eines fehlausgerichteten Substrates und einer dicken Basisschicht ergeben. Zur Veranschaulichung werden Beispiele von Fehlausrichtungswinkeln im Bereich von 0,05 DEG bis 0,50 DEG und Basisschichten im Bereich von 6,5 bis 9,5 mum gegeben, obwohl größere Werte sowohl für den Fehlausrichtungswinkel als auch die Basisschichtdicke verwendet werden können. In machen Fällen liefert die Verwendung dickerer Basisschichten ausreichende Unterstützung der Struktur, um ein vollständiges Entfernen des Substrates von der Anordnung zuzulassen.
申请公布号 DE10208021(A1) 申请公布日期 2002.10.17
申请号 DE2002108021 申请日期 2002.02.26
申请人 LUMILEDS LIGHTING, U.S. 发明人 KAHRE, REENA;GOETZ, WERNER K.;CAMRAS, MICHAEL D.
分类号 H01L21/20;H01L21/205;H01L33/00;H01L33/16;(IPC1-7):H01L33/00 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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