| 发明名称 |
Schwach parasitäre FET-Topologie für Leistungs- und Niedrig-Rauschfaktor-GaAs-FET |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69132966(T2) |
申请公布日期 |
2002.10.17 |
| 申请号 |
DE19916032966T |
申请日期 |
1991.05.01 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INC., DALLAS |
发明人 |
TRUITT, GEORGE A. |
| 分类号 |
H01L21/338;H01L29/423;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/417 |
主分类号 |
H01L21/338 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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